[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

栅极沟槽部，其从所述半导体基板的上表面起设置到所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的所述上表面沿预先设定的延伸方向延伸地设置；

台面部，其在与所述延伸方向垂直的排列方向上与所述栅极沟槽部相接地设置；以及

层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板的上方，

在所述栅极沟槽部的所述排列方向上的至少一部分的上方设置有所述层间绝缘膜，

在所述层间绝缘膜设置有使所述台面部露出的接触孔，

所述接触孔的所述排列方向上的宽度为所述台面部的所述排列方向上的宽度以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极沟槽部具有：

栅极绝缘膜，其设置在所述栅极沟槽部的内壁；以及

栅极导电部，其在所述栅极沟槽部的内部被所述栅极绝缘膜包围，

所述栅极导电部的上端配置在比所述半导体基板的所述上表面更靠下方的位置，

在所述栅极导电部的所述排列方向上的至少一部分的上方设置有所述层间绝缘膜。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述层间绝缘膜从所述栅极沟槽部的所述排列方向上的一端设置到另一端。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述层间绝缘膜中的下部的厚度大于上部的厚度，所述下部是设置在比所述半导体基板的所述上表面更靠下方的部分，所述上部是设置在比所述半导体基板的所述上表面更靠上方的部分。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在比所述半导体基板的所述上表面更靠上方的位置，所述层间绝缘膜的配置于所述排列方向上的端部的侧面与所述半导体基板的所述上表面所成的角度是20度以上且60度以下。

6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

比所述半导体基板的所述上表面更靠上方的所述层间绝缘膜的厚度是所述栅极绝缘膜的厚度的2倍以上且4倍以下。

7.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述层间绝缘膜在比所述半导体基板的所述上表面更靠上方的位置具有向上方凸的凸部。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部的顶点在与所述半导体基板的所述上表面垂直的方向上配置在所述栅极绝缘膜的上方。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部的顶点在与所述半导体基板的所述上表面垂直的方向上配置在所述栅极导电部的上方。

10.如权利要求2至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述层间绝缘膜在设置于比所述半导体基板的所述上表面更靠上方的上部的上表面，在不含所述层间绝缘膜的所述排列方向上的中央的区域具有凹部。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述凹部在与所述半导体基板的所述上表面垂直的方向上配置在所述栅极导电部的上方。

12.如权利要求2至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触孔在所述台面部的上方和所述栅极导电部的上方，沿所述排列方向连续地设置。