[发明专利]集成磁阻设备的方法在审
| 申请号： | 201880033846.1 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110678995A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | S·A·德施潘得;S·阿加瓦尔;M·霍森 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L21/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材料(220)；在第一介电材料上方沉积第二介电材料(240)；抛光第二介电材料的表面；形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔(230)。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 磁阻 第一腔体 沉积 沉积导电材料 集成电路设备 自由磁性区域 被抛光表面 固定磁性 中间区域 抛光 触点 隔开 基板 通孔 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有磁阻设备的集成电路设备的方法，包括：/n在基板的第一触点上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括固定磁性区域和由中间区隔开的自由磁性区域；/n在磁阻设备上方沉积第一介电材料；/n在第一介电材料上方沉积第二介电材料；/n抛光第二介电材料的表面；/n形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及/n在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔。/n
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