[发明专利]集成磁阻设备的方法在审
| 申请号： | 201880033846.1 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110678995A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | S·A·德施潘得;S·阿加瓦尔;M·霍森 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L21/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电材料 磁阻 第一腔体 沉积 沉积导电材料 集成电路设备 自由磁性区域 被抛光表面 固定磁性 中间区域 抛光 触点 隔开 基板 通孔 暴露 制造 | ||
1.一种制造具有磁阻设备的集成电路设备的方法，包括：
在基板的第一触点上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括固定磁性区域和由中间区隔开的自由磁性区域；
在磁阻设备上方沉积第一介电材料；
在第一介电材料上方沉积第二介电材料；
抛光第二介电材料的表面；
形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及
在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中第二介电材料的介电常数高于第一介电材料的介电常数。
3.根据权利要求1所述的方法，其中第一介电材料是低k或超低k介电材料，并且第二介电材料是常规的介电材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在暴露第一介电材料之前停止抛光。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在暴露第一介电材料时停止抛光。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在抛光第二介电材料的表面之后，抛光在磁阻设备上方的第一介电材料的一部分。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成通孔之后沉积第三介电材料；
抛光第三介电材料的表面；
形成通过第三介电材料的被抛光表面的第二腔体，以暴露通孔的表面；以及
在第二腔体中沉积第二导电材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中第三介电材料的介电常数低于第二介电材料的介电常数。
9.根据权利要求7所述的方法，其中第三介电材料是低k或超低k介电材料。
10.根据权利要求7所述的方法，其中第二介电材料的介电常数高于第一介电材料和第三介电材料中的每一个的介电常数。
11.一种制造具有磁阻设备的集成电路设备的方法，包括：
形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的多个磁性区域；
在磁阻设备上方沉积第一介电材料；
抛光第一介电材料的表面；
在第一介电材料的被抛光表面上方沉积第二介电材料；
形成通过第二介电材料的表面的第一腔体；以及
在第一腔体中沉积导电材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中第二介电材料的介电常数高于第一介电材料的介电常数。
13.根据权利要求11所述的方法，其中第一介电材料是低k或超低k介电材料，并且第二介电材料是常规的介电材料。
14.根据权利要求11所述的方法，其中在暴露磁阻设备之前停止抛光。
15.根据权利要求11所述的方法，其中形成第一腔体包括通过调整蚀刻剂化学性质来蚀刻通过第二介电材料和第一介电材料。
16.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在形成通孔之后沉积第三介电材料；
抛光第三介电材料的表面；
形成通过第三介电材料的被抛光表面的第二腔体，以暴露通孔的表面；以及
在第二腔体中沉积导电材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其中第三介电材料的介电常数低于第二介电材料的介电常数。
18.根据权利要求16所述的方法，其中第三介电材料是低k或超低k介电材料。
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