[发明专利]光电传感器在审
| 申请号： | 201880029879.9 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110612609A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 加藤太一郎;饭岛慎二 | 申请（专利权）人： | 阿自倍尔株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/10 |
| 代理公司： | 31300 上海华诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光电二极管(PD)具有接收光的受光部、以及设置在该受光部的周围并被遮光金属层(M1‑1～M1‑4、M2‑1、M2‑2)遮光的遮光区域，电容(C2)形成在遮光区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 遮光区域 受光部 光电二极管 遮光金属层 接收光 电容 遮光 | ||
【主权项】：
1.一种光电传感器，其特征在于，/n具备受光电路，所述受光电路由光电二极管与电流电压转换电路通过电容进行电容耦合而得，并且搭载于集成电路中，/n所述光电二极管具有接收光的受光部、以及设置在该受光部的周围并被遮光金属层遮光的遮光区域，/n所述电容形成在所述遮光区域中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
