[发明专利]光电传感器

说明书

光电二极管(PD)具有接收光的受光部、以及设置在该受光部的周围并被遮光金属层(M1‑1～M1‑4、M2‑1、M2‑2)遮光的遮光区域，电容(C2)形成在遮光区域中。

技术领域

本发明涉及一种光电传感器，该光电传感器具备光电二极管与IV电路(电流电压转换电路)电容耦合而得的受光电路。

背景技术

在光电传感器的受光电路中，如图1所示，在IV电路中，使用OP放大器U1及电阻R1等，将由光电二极管PD产生的光电流转换为电压信号。在该构成中，目标受光信号以外的干扰光也进行电压转换。通常，检测信号使用脉冲信号，直流的干扰光由后级的高通滤波器去除。另外，图1所示的受光电路以往被搭载于集成电路中而构成。

在干扰光为太阳光的环境下使用该光电传感器的情况下，有时入射超过10万勒克斯的光量。图1所示的IV电路的电阻R1根据最小受光信号和受光电路的噪声电平来决定最小值，根据干扰光容限来决定最大值。另外，如图1所示，IV电路具有用于针对干扰光对输出电压进行钳位的二极管D1。但是，如果入射10万勒克斯左右的非常大的干扰光，则IV电路变就会变为不稳定的状态，有发生误动作的可能性。

作为其对策，如图2所示，有通过电容C2将光电二极管PD与IV电路进行电容耦合、从而不用IV电路对太阳光等的直流光分量进行电压转换的方法。由此，在由光电二极管PD产生的光电流中，直流光分量流向电阻R2侧，只有交流光分量经由电容C2流向IV电路侧。此外，图2所示的受光电路以往使用分立元件而构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2009-54647号公报

发明内容

发明要解决的问题

另一方面，在将图2所示的受光电路搭载于集成电路中的情况下，对于将受光电路安装在集成电路中而言，形成电容C2所需的面积较大，因此难以实现。

此外，在专利文献1中，也示出了图1、2的不同。在该专利文献1所公开的发明中，光电二极管PD和IV电路经由电流镜电路连接，但本质上是相同的构成。另外，记载了电容C2的电容值需要是光电二极管PD的寄生电容的10～100倍左右。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种光电传感器，该光电传感器具备光电二极管与IV电路电容耦合而得的受光电路，能够将受光电路搭载于集成电路中。

用于解决问题的技术手段

本发明的光电传感器的特征在于，具备受光电路，该受光电路由光电二极管与电流电压转换电路通过电容进行电容耦合而得，并且搭载于集成电路中，光电二极管具有接收光的受光部、以及设置在该受光部的周围并被遮光金属层遮光的遮光区域，电容形成在遮光区域中。

发明的效果

根据本发明，由于如上述那样构成，因此在具备光电二极管与IV电路进行电容耦合而得的受光电路的光电传感器中，能够将受光电路搭载于集成电路中。

附图说明

图1是示出现有的光电传感器所具有的受光电路的构成例的电路图。

图2是示出现有的光电传感器所具有的受光电路的另一构成例的电路图。

图3是示出图1所示的受光电路的光电二极管周边的截面构造例的图。

图4是示出本发明的实施方式1的受光电路的光电二极管周边的截面构造例的图。

图5是示出本发明的实施方式1的受光电路的光电二极管周边的另一截面构造例的图。

图6是示出本发明的实施方式2的受光电路的光电二极管周边的截面构造例的图。