[发明专利]使用阈值注入区域的半导体可变电容器在审
| 申请号： | 201880028706.5 | 申请日： | 2018-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110612608A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李夏;F·A·马里诺;梁晴晴;F·卡罗博兰特;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的某些方面总体上涉及使用阈值电压注入区域实现的半导体可变电容器及其制造技术。例如，半导体可变电容器总体上包括设置在第一半导体区域上方的第一非绝缘区域、设置在第一半导体区域上方的第二非绝缘区域以及插入在第一非绝缘区域与第一半导体区域之间并且与第二非绝缘区域相邻设置的阈值电压(Vt)注入区域。在某些方面，半导体可变电容器还包括设置在第一半导体区域上方的控制区域，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压而被调节。 | ||
| 搜索关键词： | 非绝缘区域 半导体区域 半导体可变电容器 控制区域 注入区域 阈值电压 控制电压 相邻设置 电容 施加 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体可变电容器，包括：/n第一非绝缘区域，被设置在第一半导体区域上方；/n第二非绝缘区域，被设置在所述第一半导体区域上方；/n阈值电压(Vt)注入区域，被插入在所述第一非绝缘区域与所述第一半导体区域之间，并且与所述第二非绝缘区域相邻地被设置；以及/n控制区域，被设置在所述第一半导体区域上方，使得所述第一非绝缘区域与所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到所述控制区域的控制电压而被调节。/n
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