[发明专利]使用阈值注入区域的半导体可变电容器在审
| 申请号： | 201880028706.5 | 申请日： | 2018-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110612608A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李夏;F·A·马里诺;梁晴晴;F·卡罗博兰特;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非绝缘区域 半导体区域 半导体可变电容器 控制区域 注入区域 阈值电压 控制电压 相邻设置 电容 施加 配置 制造 | ||
1.一种半导体可变电容器，包括：
第一非绝缘区域，被设置在第一半导体区域上方；
第二非绝缘区域，被设置在所述第一半导体区域上方；
阈值电压(Vt)注入区域，被插入在所述第一非绝缘区域与所述第一半导体区域之间，并且与所述第二非绝缘区域相邻地被设置；以及
控制区域，被设置在所述第一半导体区域上方，使得所述第一非绝缘区域与所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到所述控制区域的控制电压而被调节。
2.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述第二非绝缘区域和所述控制区域具有不同的掺杂类型。
3.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述Vt注入区域包括与所述第二非绝缘区域相同的掺杂类型。
4.根据权利要求3所述的半导体可变电容器，其中所述第一非绝缘区域包括与所述第二非绝缘区域相同的掺杂类型。
5.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括第二半导体区域，被设置在所述第一半导体区域下方，其中所述第二半导体区域包括与所述第一半导体区域不同的掺杂类型。
6.根据权利要求5所述的半导体可变电容器，还包括第三半导体区域，被设置在所述第二半导体区域下方，其中所述第三半导体区域包括与所述第二半导体区域不同的掺杂类型。
7.根据权利要求6所述的半导体可变电容器，其中所述第二半导体区域被耦合到地端子，并且其中所述第三半导体区域被耦合到电源端子。
8.根据权利要求6所述的半导体可变电容器，还包括浅沟槽隔离(STI)区域，被设置在所述第二半导体区域与所述控制区域之间，其中所述第二半导体区域被电耦合到所述控制区域。
9.根据权利要求6所述的半导体可变电容器，还包括衬底层，被设置在所述第三半导体区域下方，其中所述衬底层包括与所述第三半导体区域不同的掺杂类型，并且其中所述衬底层被耦合到地端子。
10.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括端子，被耦合到所述第二非绝缘区域的表面，并且被设置在所述第二非绝缘区域的表面上方，并且被设置在所述Vt注入区域的、延伸超过所述第一非绝缘区域的一部分的表面上方。
11.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括浅沟槽隔离(STI)区域，被设置在所述第一半导体区域上方，并且被设置在第二半导体区域与所述Vt注入区域之间。
12.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括：
第三非绝缘区域，被设置在所述第一半导体区域上方；
另一Vt注入区域，被插入在所述第三非绝缘区域与所述第一半导体区域之间，并且与所述第二非绝缘区域相邻地被设置；以及
另一控制区域，被设置在所述第一半导体区域上方，使得所述第三非绝缘区域与所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到所述另一控制区域的另一控制电压而被调节。
13.根据权利要求12所述的半导体可变电容器，其中所述Vt注入区域和所述另一Vt注入区域包括与所述第二非绝缘区域相同的掺杂类型。
14.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，其中所述第一非绝缘区域包括与所述第三非绝缘区域相同的掺杂类型，但是与所述第二非绝缘区域不同的掺杂类型。
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