[发明专利]Ga2O3系半导体元件在审
| 申请号： | 201880027299.6 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110622319A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 东胁正高;中田义昭;上村崇史;黄文海;佐佐木公平;胁本大树 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;C30B23/08;C30B29/16;H01L21/336;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 11323 北京市隆安律师事务所 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作为一个实施方式，提供一种Ga | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件 晶体层 | ||
【主权项】：
1.一种Ga
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