[发明专利]Ga2O3系半导体元件

说明书

作为一个实施方式，提供一种Ga₂O₃系半导体元件(1a)，Ga₂O₃系半导体元件(1a)具有：第二Ga₂O₃系晶体层(11)，其包含施主；以及N添加区域，其形成于整个第二Ga₂O₃系晶体层(11)。

技术领域

本发明涉及Ga₂O₃系半导体元件。

背景技术

以往，已知使无掺杂(未有意地添加掺杂物)的Ga₂O₃系晶体膜在Ga₂O₃系基板上外延生长的技术(例如，参照专利文献1)。

另外，以往已知一种半导体元件，该半导体元件具有：基底基板，其包括Ga₂O₃系晶体；缓冲层，其外延生长在基底基板上，包括无掺杂的Ga₂O₃系晶体；以及缓冲层上的Ga₂O₃系晶体层，其添加有Si作为掺杂物(例如，参照非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2017-041593号公报

非专利文献

非专利文献1：Man Hoi Wong,et al.,“Anomalous Fe diffusion in Si-ion-implantedβ-Ga2O3and its suppression in Ga2O3transistor structures throughhighly resistive buffer layers,”Applied Physics Letters 106,032105,2015.

发明内容

发明要解决的问题

在使Ga₂O₃系晶体膜以无掺杂的方式外延生长的情况下，有时会产生意料之外的施主，而成为n型。若将这样的无掺杂的Ga₂O₃系晶体膜用在半导体元件中，则有时会产生由于无掺杂的Ga₂O₃系晶体膜为n型而导致的问题。

例如，在缓冲层使用了无掺杂的Ga₂O₃系晶体膜的FET(Field effect transistor：场效应晶体管)中，除了在沟道层流过电流以外，还在缓冲层流过电流(漏电流)，因此，无法使FET正常进行动作。

所以，有时要求将合适的受主添加到无掺杂的Ga₂O₃系晶体层，对非有意地添加的施主进行补偿来高电阻化。另外，如果是在Ga₂O₃系晶体层中作为受主发挥功能的杂质，则其也能够用于无掺杂的Ga₂O₃系晶体层或n型的无掺杂的Ga₂O₃系晶体层中的p型的区域的形成。

本发明的目的在于，提供一种具有添加了新型的受主杂质的Ga₂O₃系晶体层的Ga₂O₃系半导体元件。

用于解决问题的方案