[发明专利]混合存储器模块在审

专利信息
申请号: 201880025729.0 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN110537172A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: F·A·韦尔 申请(专利权)人: 拉姆伯斯公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0846;G06F12/08;G06F12/06;G06F12/0802;G06F12/0804;G06F12/0808;G06F12/0893;G06F12/0891
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 马明月<国际申请>=PCT/US2018
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 混合存储器模块包括相对快速且持久的动态随机存取存储器(DRAM)的缓存,以服务于大量相对较慢并且对磨损敏感的闪存。该模块上的地址缓冲器维护地址的静态随机存取存储器(SRAM)缓存以用于DRAM中所缓存的数据。DRAM和SRAM缓存一起加快读写访问速度,并且减少了针对大量非易失性存储器的磨损。
搜索关键词: 缓存 磨损 动态随机存取存储器 静态随机存取存储器 非易失性存储器 地址缓冲器 混合存储器 读写访问 闪存 敏感 维护 服务
【主权项】:
1.一种存储器模块,包括:/n定义非易失性地址空间的非易失性存储器组件,所述非易失性地址空间用以将数据存储在非易失性存储器地址处;/n定义易失性地址空间的易失性存储器组件,所述易失性地址空间用以利用第一地址标签来缓存在所述非易失性地址空间中所存储的所述数据,所述第一地址标签对应于所述数据的所述非易失性存储器地址;以及/n地址缓冲器组件,用以缓存与在所述非易失性地址空间中所缓存的所述数据相对应的第二地址标签。/n
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