[发明专利]半导体辐射源有效
| 申请号： | 201880024493.9 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110506332B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | A.沃伊齐克;H.哈尔布里特;J.马里克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01S5/0239;H01S5/068 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，半导体辐射源（1）包括电容器本体（3）以及用于产生辐射的半导体芯片（2）。半导体芯片（2）和电容器主体（3）彼此堆叠地布置。此外，半导体芯片（2）与电容器本体（3）平面且直接地电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 辐射源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体辐射源（1），具有：/n至少一个用于产生辐射的半导体芯片（2），/n操控单元（4），具有用于脉冲式运行所述半导体芯片（2）的一个或多个开关元件（41），和/n至少一个电容器主体（3），/n其中，/n所述半导体芯片（2）和所述电容器本体（3）彼此堆叠地布置，/n所述半导体芯片（2）平面地直接与所述电容器本体（3）电连接，/n所述操控单元（4）电连接到所述半导体芯片（2）的与所述电容器主体（3）相对的一侧，并且/n所述操控单元（4）、所述电容器本体（3）和所述半导体芯片（2）彼此堆叠地布置，使得所述电容器本体（3）位于所述操控单元（4）和所述半导体本体（2）之间。/n
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