[发明专利]半导体辐射源

权利要求书

1.一种半导体辐射源(1)，具有：

至少一个用于产生辐射的半导体芯片(2)，

操控单元(4)，具有用于脉冲式运行所述半导体芯片(2)的一个或多个开关元件(41)，和至少一个电容器本体(3)，

其中，

所述半导体芯片(2)和所述电容器本体(3)彼此堆叠地布置，

所述半导体芯片(2)平面地直接与所述电容器本体(3)电连接，

所述操控单元(4)电连接到所述半导体芯片(2)的与所述电容器本体(3)相对的一侧，并且

所述操控单元(4)、所述电容器本体(3)和所述半导体芯片(2)彼此堆叠地布置，使得所述电容器本体(3)位于所述操控单元(4)和所述半导体芯片(2)之间。

2.根据权利要求1所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述半导体芯片(2)是半导体激光器芯片，

其中，所述电容器本体(3)具有比所述半导体芯片(2)大的底面，并且所述半导体芯片(2)与所述电容器本体(3)之间的电接触面是所述电容器本体(3)的底面的至少50％。

3.根据权利要求1或2所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述半导体芯片(2)和所述电容器本体(3)具有沿每个方向相同的横向尺寸，带有至多10％的公差，其中，所述半导体芯片(2)与所述电容器本体(3)之间的电接触面是所述半导体芯片(2)的基面的至少80％。

4.根据权利要求1或2所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述半导体芯片(2)和所述电容器本体(3)彼此焊接在一起，

其中，所述半导体芯片(2)的主发射方向平行于所述半导体芯片(2)的基面和/或平行于所述电容器本体(3)的底面地定向。

5.一种半导体辐射源(1)，具有：

至少一个用于产生辐射的半导体芯片(2)，

操控单元(4)，所述操控单元具有用于脉冲式运行所述半导体芯片(2)的一个或多个开关元件(41)，和

至少一个电容器本体(3)，

其中，

所述半导体芯片(2)和所述电容器本体(3)彼此堆叠地布置，并且

所述半导体芯片(2)与所述电容器本体(3)平面地直接电连接，

所述操控单元(4)电连接到所述半导体芯片(2)的与所述电容器本体(3)相对的一侧，所述操控单元(4)、所述电容器本体(3)和所述半导体芯片(2)彼此堆叠地布置，使得所述半导体芯片(2)位于所述操控单元(4)与所述电容器本体(3)之间，以及所述半导体芯片(2)既与所述操控单元(4)又与所述电容器本体(3)平面地直接电连接。

6.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述半导体芯片(2)是脊形波导激光器，

其中，所述半导体芯片(2)的脊形波导(22)位于所述半导体芯片(2)的背离所述电容器本体(3)的一侧上。

7.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述电容器本体(3)被单片地构造为芯片并且基于硅构造。

8.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述电容器本体(3)由多个电并联的单个电容器(33)组成。

9.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述半导体芯片(2)与所述电容器本体(3)之间的直接的平面电连接导线(D)具有至多50pH的电感。

10.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，

其中，所述电容器本体(3)具有至少20nF的电容，

其中，所述半导体辐射源(1)是能表面安装的，以及

其中，所述电容器本体(3)与所述半导体芯片(2)一起的总厚度为至少0.1mm和至多0.5mm。

11.根据权利要求1或5所述的半导体辐射源(1)，包括多个半导体芯片(2)，当在平面图中观察时所述多个半导体芯片在阵列中以二维方式规则地布置，

其中，所述多个半导体芯片(2)共同布置在唯一的电容器本体(3)上，或所述多个半导体芯片(2)安装在多个电容器本体(3)上。