[发明专利]离子分析装置及离子裂解方法有效
| 申请号： | 201880024443.0 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110494955B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀典;山内祥圣 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在离子阱(2)的内部捕捉到前体离子后，自电子照射部(7)将30eV以上的高能量的电子导入到离子阱(2)内，利用电子与离子的相互作用来使该离子的价数增加。接着，自氢自由基照射部(5)使氢自由基进入到离子阱(2)内，通过HAD法使离子裂解。在HAD法中，离子的价数越高，裂解效率越高。因此，即使在使用例如MALDI离子源那样几乎只生成1价离子的离子源的情况下，也能够在离子阱(2)内使前体离子的价数增加，从而提高裂解效率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 分析 装置 裂解 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子分析装置，使源自试样成分的离子在离子阱的内部裂解，对由此生成的产物离子进行分析，所述离子分析装置的特征在于，具备：/na)四极杆型的离子阱，其利用高频电场的作用来捕捉源自试样成分的离子；/nb)电子照射部，其对被所述离子阱捕捉到的作为裂解对象的离子照射具有30eV以上的能量的电子；以及/nc)裂解促进部，其使与由所述电子照射部产生的电子发生了相互作用的离子裂解。/n
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