[发明专利]具有暴露的重新分布层特征的半导体封装件以及相关的封装和测试方法在审
| 申请号： | 201880022899.3 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110494964A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | M·拉姆 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/485;H01L23/31 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌<国际申请>=PCT/US2018/ |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供了一种对在其表面上具有接合焊盘(120)的半导体器件进行封装的方法，该方法包括：形成电耦接到接合焊盘的重新分布材料(140)；在重新分布材料上方形成介电材料(150)；以及移除介电材料的第一部分以暴露重新分布材料的第一部分。半导体封装件可包括重新分布层，该重新分布层具有：第一部分，该第一部分邻近并耦接到封装件的第一触点(170)；第二部分(152)，该第二部分被介电材料(150)中的第一开口暴露；以及重新分布线(140)，该重新分布线电耦接到第一接合焊盘(120)、该第一部分和该第二部分。可测试此类封装件，将至少一个探测针放置成与封装件的至少一个端子接触、通过端子将来自探测针的测试信号提供至封装件，以及使用针检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 重新分布 封装件 接合焊盘 介电材料 重新分布层 探测针 半导体封装件 测试信号提供 半导体器件 端子接触 检测信号 可测试 暴露 触点 电耦 线电 移除 封装 开口 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种对在半导体器件的表面上具有至少一个接合焊盘的所述半导体器件进行封装的方法，所述方法包括：/n形成电耦接到所述至少一个接合焊盘的重新分布材料；/n在所述重新分布材料的与所述至少一个接合焊盘相对的一侧上形成介电材料；以及/n移除所述介电材料的第一部分以暴露所述重新分布材料的第一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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