[发明专利]具有暴露的重新分布层特征的半导体封装件以及相关的封装和测试方法在审

申请号：	201880022899.3	申请日：	2018-03-28
公开（公告）号：	CN110494964A	公开（公告）日：	2019-11-22
发明（设计）人：	M·拉姆	申请（专利权）人：	微芯片技术股份有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L23/485;H01L23/31
代理公司：	31100 上海专利商标事务所有限公司	代理人：	陈斌<国际申请>=PCT/US2018/
地址：	美国亚***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	重新分布封装件接合焊盘介电材料重新分布层探测针半导体封装件测试信号提供半导体器件端子接触检测信号可测试暴露触点电耦线电移除封装开口邻近
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【说明书】：

本公开提供了一种对在其表面上具有接合焊盘(120)的半导体器件进行封装的方法，该方法包括：形成电耦接到接合焊盘的重新分布材料(140)；在重新分布材料上方形成介电材料(150)；以及移除介电材料的第一部分以暴露重新分布材料的第一部分。半导体封装件可包括重新分布层，该重新分布层具有：第一部分，该第一部分邻近并耦接到封装件的第一触点(170)；第二部分(152)，该第二部分被介电材料(150)中的第一开口暴露；以及重新分布线(140)，该重新分布线电耦接到第一接合焊盘(120)、该第一部分和该第二部分。可测试此类封装件，将至少一个探测针放置成与封装件的至少一个端子接触、通过端子将来自探测针的测试信号提供至封装件，以及使用针检测信号。

优先权声明

本专利申请要求2017年4月7日提交的美国临时专利申请序列号62/483,253“ASEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING EXPOSED REDISTRIBUTION LAYER FEATURES ANDRELATED METHODS OF PACKAGING AND TESTING”的申请日的权益。

技术领域

本公开整体涉及半导体封装件以及封装和测试半导体封装件的方法。一些具体公开的实施方案涉及在最终封装件配置中具有重新分布层的一个或多个暴露部分的晶圆级芯片规模封装件(WLCSP)以及封装和测试此类晶圆级芯片规模封装件的方法。

背景技术

在包括高温工艺步骤的封装工艺期间，半导体器件中的电子部件和电路可能被损坏或它们的特性被改变。可利用诸如晶圆探测的技术来测试半导体器件并检测对于电子部件和/或电路的特性的损坏和/或变化。如果检测到损坏或变化，那么有时可以执行缓解步骤。

图1A和图1B表示本领域已知的技术。图1A为具有封装的重新分布层30的半导体封装件10的剖视图。半导体封装件10包括其上具有钝化层12和至少一个接合焊盘13的半导体器件11。半导体封装件10还包括介电层14、重新分布层15、介电层16、粘合剂层160(例如，可焊接的粘附金属层)和封装触点17。重新分布层30仅可通过封装触点17从外部触及。作为非限制性示例，封装触点可以是焊料球、焊料凸块、铜柱凸块或其组合。

图1B为图1A所示的半导体封装件10的平面图。半导体封装件10的重新分布层30仅可通过封装触点17从外部触及。

需要半导体封装件和封装技术，其以高性价比的方式有利于测试和减轻缺陷。现有技术中可能存在其他弊端和缺点。

附图说明

图1A为具有封装的重新分布层的半导体封装件的一部分的示意性剖视图，该图表示本领域已知的技术。

图1B为具有封装的重新分布层的半导体封装件的示意性等轴视图，该图表示本领域已知的技术。

图2A为根据本公开的实施方案的具有重新分布层的至少一个暴露部分的半导体封装件的一部分的示意性剖视图。

图2B为根据本公开的实施方案的具有至少一个暴露的重新分布层的半导体封装件的示意性等轴视图。

图3为根据本公开的实施方案的工艺中的动作的流程图，根据本公开的实施方案该工艺用于封装具有重新分布层的至少一个暴露部分的半导体器件。

图4A至图4E为根据本公开的实施方案的经历封装工艺的半导体器件的部分的示意性剖视图，该封装工艺暴露出重新分布层的至少一部分。

图5A至图5E为根据本公开的实施方案的经历封装工艺的半导体器件的示意性平面图，该封装工艺暴露出重新分布层的至少一部分。

图6为根据本公开的实施方案的具有重新分布层的至少一个暴露部分的半导体封装件的一部分的示意性剖视图。

图7为根据本公开的实施方案的工艺中的动作的流程图，该工艺用于封装具有重新分布层的至少一个暴露部分的半导体器件。