[发明专利]化合物半导体场效应晶体管栅极长度缩减在审
| 申请号： | 201880020347.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110462789A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;陶耿名;李夏;P·奇达姆巴拉姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/423;H01L29/47 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张昊<国际申请>=PCT/US2018/ |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种化合物半导体晶体管可包括沟道层。该化合物半导体晶体管还可以包括位于沟道层上的介电层。化合物半导体晶体管还可以包括栅极。栅极可包括穿过介电层且与沟道层电接触的垂直基部。栅极还可以包位于介电层上且电耦合至栅极的垂直基部的头部。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物半导体 沟道层 介电层 晶体管 垂直基部 电接触 电耦合 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体晶体管，包括：/n沟道层；/n介电层，位于所述沟道层上；以及/n栅极，包括穿过所述介电层且电接触所述沟道层的垂直基部以及位于所述介电层上且电耦合至所述栅极的所述垂直基部的头部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
