[发明专利]化合物半导体场效应晶体管栅极长度缩减

权利要求书

1.一种化合物半导体晶体管，包括：

沟道层；

介电层，位于所述沟道层上；以及

栅极，包括穿过所述介电层且电接触所述沟道层的垂直基部以及位于所述介电层上且电耦合至所述栅极的所述垂直基部的头部。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，其中所述栅极包括不对称T栅极、对称T栅极或伽马栅极。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，还包括位于所述沟道层上的蚀刻停止层，其中所述介电层被布置为填充与所述蚀刻停止层相邻的腔体。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，其中所述化合物半导体晶体管包括高电子迁移率晶体管(HEMT)或假型高电子迁移率晶体管(pHEMT)。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，其中所述化合物半导体晶体管的源极/漏极区域的半导体部分与所述栅极的所述垂直基部自对准。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，其中所述栅极包括肖特基栅极或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体晶体管，其中所述化合物半导体晶体管被集成到功率放大器中。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体晶体管，其中所述功率放大器被结合到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

9.一种制造化合物半导体场效应晶体管(FET)的方法，包括：

在沟道层上形成氧化物层；

蚀刻通过所述氧化物层以形成开口；

至少在所述开口中沉积第一导电栅极材料，以提供栅极的垂直基部；以及

在所述第一导电栅极材料的被所述氧化物层支撑的部分上沉积第二导电栅极材料，以提供所述栅极的头部。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述氧化物层包括：

在所述沟道层上的钝化层上沉积液体氧化物层；

涂覆并平面化所述液体氧化物层；以及

烘焙所述液体氧化物层，以形成固体氧化物层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻包括暴露所述沟道层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻包括选择性蚀刻，以形成在蚀刻停止层上停止的腔体。

13.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述第一导电栅极材料包括：在所述沟道层的暴露部分上沉积所述第一导电栅极材料，以形成所述栅极的所述垂直基部。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

将所述化合物半导体FET与功率放大器集成；以及

将所述功率放大器集成到无线收发器中，所述无线收发器被结合到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

15.一种射频(RF)前端模块，包括：

芯片，包括化合物半导体晶体管，所述化合物半导体晶体管包括沟道层、位于所述沟道层上的介电层、和栅极，所述栅极包括穿过所述介电层且电接触所述沟道层的垂直基部以及位于所述介电层上且电耦合至所述栅极的所述垂直基部的头部；以及

天线，耦合至所述芯片的输出。

16.根据权利要求15所述的RF前端模块，其中所述栅极包括不对称T栅极、对称T栅极或伽马栅极。