[发明专利]存储器装置在审

申请号：	201880020150.5	申请日：	2018-03-05
公开（公告）号：	CN110462815A	公开（公告）日：	2019-11-15
发明（设计）人：	北川真;柴原祯之;寺田晴彦;森阳太郎	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L21/8239	分类号：	H01L21/8239;G11C13/00;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
代理公司：	11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	张荣海<国际申请>=PCT/JP2018
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	按照本公开的一个实施例的存储器装置包含存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被构成为以致当在多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，允许对多个第一存储器单元的同时访问，而与相对于各个所述第一存储器单元的公共第四配线对应的存储器单元不被同时访问。
搜索关键词：	存储器单元配线存储器单元阵列存储器装置访问
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【主权项】：

1.一种存储器装置，包括：/n存储器单元阵列；和/n访问所述存储器单元阵列的驱动电路，/n所述存储器单元阵列包括/n多个第一配线，所述多个第一配线沿第一方向延伸，并被布置成沿与所述第一方向正交的第二方向和沿与所述第一方向及第二方向正交的第三方向排列，/n多个第二配线，所述多个第二配线沿所述第一方向延伸，并被布置成沿所述第二方向排列，/n多个第三配线，所述多个第三配线沿所述第三方向延伸，并被布置成沿所述第一方向和第二方向排列，并且还被布置成当从所述第三方向看时贯通在所述第二方向上彼此相邻的2个第一配线之间的间隙，/n多个阻变存储器单元，在各第三配线和各第一配线彼此相对的各个点处分别设置一个阻变存储器单元，/n多个晶体管，每个晶体管的栅极都耦接到对应的第二配线，对于所述第三配线中的每一个，设置一个晶体管，以及/n多个第四配线，所述多个第四配线沿所述第二方向延伸，并被布置成沿所述第一方向排列，对于布置成沿所述第二方向排列的多个第三配线中的每一个，设置一个第四配线，并且所述第四配线中的每一个通过所述晶体管耦接到对应的多个第三配线，/n其中当在所述多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，在不同时访问与由各所述第一存储器单元共享的第四配线对应的所述存储器单元的情况下，所述存储器单元阵列允许同时访问多个第一存储器单元。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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