[发明专利]存储器装置

说明书

按照本公开的一个实施例的存储器装置包含存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被构成为以致当在多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，允许对多个第一存储器单元的同时访问，而与相对于各个所述第一存储器单元的公共第四配线对应的存储器单元不被同时访问。

技术领域

本公开涉及存储器装置。

背景技术

近年来，作为与闪存等相比，允许更快的数据访问的非易失性存储器设备，电阻式随机存取存储器(ReRAM)已受到关注。ReRAM的形态的例子包括称为垂直3D ReRAM的结构；垂直3D ReRAM具有在与基板面水平的字线(WL)和与基板面垂直的位线(BL)的各个交点处包括可变电阻元件的存储器单元。

引文列表

专利文献

PTL 1：未经审查的日本专利申请公开No.2015-170852

PTL 2：未经审查的日本专利申请公开No.2016-167332

发明内容

垂直3D ReRAM的一个重大开发挑战是增大字线的叠层数，这使得能够扩大单位面积的容量，和实现低成本的存储器装置。此时，如果字线较厚，那么会使得难以制造位线。从而，要求使字线尽可能地薄。另一方面，如果使字线较薄，那么会导致薄层(sheet)电阻值增大，且访问存储器单元时的字线的电压的降低会成为设计约束。于是，理想的是提供一种使得能够抑制字线的电压的降低，和实现高访问速度的存储器装置。

按照本公开的一个实施例的第一存储器装置包括存储器单元阵列，和访问所述存储器单元阵列的驱动电路。所述存储器单元阵列包括多个第一配线、多个第二配线、多个第三配线、多个阻变存储器单元、多个晶体管和多个第四配线。所述多个第一配线沿第一方向延伸。所述多个第一配线被布置成沿与所述第一方向正交的第二方向，和沿与所述第一方向及第二方向正交的第三方向排列。所述多个第二配线沿所述第一方向延伸。所述多个第二配线被布置成沿所述第二方向排列。所述多个第三配线沿所述第三方向延伸。所述多个第三配线被布置成沿所述第一方向和第二方向排列，并且还被布置成当从所述第三方向看时，贯通在所述第二方向上彼此相邻的2个第一配线之间的间隙。至于所述多个阻变存储器单元，在所述第三配线和第一配线彼此相对的各个点，分别设置一个存储器单元。至于所述多个晶体管，对于所述第三配线每一个，设置一个晶体管。所述多个晶体管每一个的栅极耦接到对应的第二配线。所述多个第四配线沿所述第二方向延伸。所述多个第四配线被布置成沿所述第一方向排列，对于布置成沿所述第二方向排列的多个第三配线，设置一个第四配线。所述第四配线分别通过所述晶体管，耦接到对应的多个第三配线。当在所述多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，所述存储器单元阵列允许对所述多个第一存储器单元的同时访问，而不允许对与所述第一存储器单元共享的第四配线对应的存储器单元的同时访问。

按照本公开的实施例的第一存储器装置被配置成当在所述多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，允许对所述多个第一存储器单元的同时访问，而不允许对与所述第一存储器单元共享的第四配线对应的存储器单元的同时访问。从而，可以在不将访问电流集中在一个第一配线的情况下，访问多个存储器单元。