[发明专利]多晶硅中用于改进电容的振荡电容器架构在审
| 申请号： | 201880019959.6 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110462822A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 理查德·T·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于制造金属绝缘体金属电容器同时管理半导体加工产量并增加单位面积电容的系统及方法。半导体装置制造工艺将多晶硅层放置在位于金属层的顶部上的氧化物层的顶部上。所述工艺将沟槽蚀刻到所述多晶硅层的区域中，其中重复的沟槽确定稍后要形成的振荡波结构的频率。所述沟槽的顶角和底角被修圆。所述工艺在所述多晶硅层上于具有所述沟槽的区域上和没有所述沟槽的区域上沉积底部金属、电介质和顶部金属。一系列阻挡金属和第二多晶硅层沉积在所述振荡结构上。所述工艺完成所述MIM电容器，其中金属节点接触所述振荡结构的所述顶部金属和所述底部金属中的每一者。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 金属 振荡结构 沉积 电介质 金属绝缘体金属电容器 底角 单位面积电容 半导体装置 管理半导体 沟槽蚀刻 金属节点 氧化物层 制造工艺 阻挡金属 金属层 振荡波 顶角 修圆 重复 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置制造工艺，其包括：/n在第一金属层的顶部上形成氧化物层；/n在所述氧化物层的顶部上沉积多晶硅层；/n在所述多晶硅层的顶部上形成光致抗蚀剂层；/n在多个大致等间隔位置处蚀刻所述光致抗蚀剂层；/n将沟槽蚀刻到未受所述光致抗蚀剂层保护的所述多晶硅层中，其中所述沟槽出现在所述多个大致等间隔位置处；/n剥离所述光致抗蚀剂层；/n在所述多晶硅层上沉积一系列层以形成具有振荡图案的金属-绝缘体-金属电容器，所述一系列层包括底部金属层、介电层和顶部金属层。/n
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