[发明专利]多晶硅中用于改进电容的振荡电容器架构

权利要求书

1.一种半导体装置制造工艺，其包括：

在第一金属层的顶部上形成氧化物层；

在所述氧化物层的顶部上沉积多晶硅层；

在所述多晶硅层的顶部上形成光致抗蚀剂层；

在多个大致等间隔位置处蚀刻所述光致抗蚀剂层；

将沟槽蚀刻到未受所述光致抗蚀剂层保护的所述多晶硅层中，其中所述沟槽出现在所述多个大致等间隔位置处；

剥离所述光致抗蚀剂层；

在所述多晶硅层上沉积一系列层以形成具有振荡图案的金属-绝缘体-金属电容器，所述一系列层包括底部金属层、介电层和顶部金属层。

2.如权利要求1所述的半导体装置制造工艺，其中所述工艺还包括在沉积所述一系列层之前修圆所述沟槽的顶角和底角。

3.如权利要求2所述的半导体装置制造工艺，其中所述修圆包括执行所述多晶硅层的相对高温氧化和氧化去除的一个或多个循环。

4.如权利要求1所述的半导体装置制造工艺，其中所述工艺还包括在所述顶部金属层上沉积另外的多晶硅层和阻挡金属层。

5.如权利要求4所述的半导体装置制造工艺，其中所述工艺还包括在没有振荡图案的第一位置中蚀刻所述底部金属层上方的每一层，其中所述第一位置用于与所述底部金属层接触的第一通孔。

6.如权利要求4所述的半导体装置制造工艺，其中所述工艺还包括在有振荡图案的第二位置处放置第二通孔，其中所述第二通孔穿过所述阻挡金属层和所述另外的多晶硅层与所述顶部金属层接触。

7.如权利要求4所述的半导体装置制造工艺，其中所述振荡图案位于所述第一金属层与沉积在用于形成所述金属-绝缘体-金属电容器的节点的通孔上的第二金属层的大致中间位置。

8.如权利要求6所述的半导体装置制造工艺，其中所述工艺还包括：

在所述振荡图案上生长另外的氧化物层；以及

蚀刻沟槽用于所述另外的氧化物层中的通孔。

9.一种半导体装置，其包括：

第一金属层；

在所述第一金属层的顶部上的氧化物层；

在所述氧化物层的顶部上的多晶硅层；以及

在所述多晶硅层上的一系列层，所述一系列层包括底部金属层、介电层和顶部金属层，其中所述多晶硅层包括具有沟槽的区域以形成具有以给定频率重复的振荡图案的金属-绝缘体-金属电容器，所述给定频率等于所述多晶硅层中所述沟槽的出现频率。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中所述多晶硅层中所述沟槽的所述顶角和所述底角被修圆。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其还包括在所述顶部金属层上的一系列另外的多晶硅层和阻挡金属层。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述振荡图案包括其中所述振荡图案被非振荡图案中断的第一位置。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中所述振荡图案包括其中所述振荡图案被非振荡图案中断的第二位置。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其还包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔在所述第一位置处与所述底部金属层形成接触，所述第二通孔在所述第二位置处穿过所述阻挡金属层和所述另外的多晶硅层与所述顶部金属层形成接触。

15.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述振荡图案位于所述第一金属层与沉积在用于形成所述金属-绝缘体-金属电容器的节点的通孔上的第二金属层的大致中间位置。