[发明专利]在相反极性的硅区域上同时形成金属电极的方法在审
| 申请号： | 201880019931.2 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110447109A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | R·拉赛尔 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;沙永生 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 公开了一种用于同时在硅基材(10)的n型区域(11、51、511)上形成第一金属电极(31、58)并且在硅基材(10)的p型区域(12、52)上形成第二金属电极(32、59)的方法(100)，其中，n型区域(11、51、511)暴露在第一区(1)并且p型区域(12、52)暴露在第二区(2)。该方法包括：通过使用镀覆溶液的Ni浸镀工艺同时在第一区(1)和第二区(2)中沉积(101)含有Ni的初始金属层(33、53)；并且通过无电镀覆工艺或通过金属浸镀工艺将另一金属层(34、54)沉积(102)在第一区(1)和第二区(2)中含有镍的初始金属层(33、53)上，其中，镀覆溶液含有Ni以及预定量的不同于Ni的另一金属。还公开了用于制备硅光伏电池的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 第一区 金属层 镀覆溶液 硅基材 浸镀 沉积 无电镀覆工艺 金属 相反极性 硅区域 暴露 硅光 制备 电池 | ||
【主权项】：
1.一种用于同时在硅基材(10)的n型区域(11、51、511)上形成第一金属电极(31、58)并且在硅基材(10)的p型区域(12、52)上形成第二金属电极(32、59)的方法(100)，其中，n型区域(11、51、511)暴露在第一区(1)并且p型区域(12、52)暴露在第二区(2)，所述方法包括：通过使用镀覆溶液的Ni浸镀工艺同时在第一区(1)和第二区(2)中沉积(101)含有Ni的初始金属层(33、53)；以及通过金属无电镀覆工艺或金属浸镀工艺在第一区(1)和第二区(2)中将另一金属层(34、54)沉积(102)在含有Ni的初始金属层(33、53)上，其中，镀覆溶液含有Ni和预定量的不同于Ni的另一金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
