[发明专利]在相反极性的硅区域上同时形成金属电极的方法

权利要求书

1.一种用于同时在硅基材(10)的n型区域(11、51、511)上形成第一金属电极(31、58)并且在硅基材(10)的p型区域(12、52)上形成第二金属电极(32、59)的方法(100)，其中，n型区域(11、51、511)暴露在第一区(1)并且p型区域(12、52)暴露在第二区(2)，所述方法包括：

通过使用镀覆溶液的Ni浸镀工艺同时在第一区(1)和第二区(2)中沉积(101)含有Ni的初始金属层(33、53)；以及

通过金属无电镀覆工艺或金属浸镀工艺在第一区(1)和第二区(2)中将另一金属层(34、54)沉积(102)在含有Ni的初始金属层(33、53)上，

其中，镀覆溶液含有Ni和预定量的不同于Ni的另一金属。

2.如权利要求1所述的方法(100)，其中，不同于Ni的另一金属的氧化还原电势高于Ni的氧化还原电势。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，不同于Ni的另一金属是Cu。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，镀覆溶液包含250ppm至350ppm的Ni，并且不同于Ni的另一金属的预定量为5ppm至250ppm，优选20ppm至50ppm。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，沉积(102)另一金属层(35、54)包括：同时在第一区(1)和第二区(2)中使另一金属层(34、54)沉积在含有Ni的初始金属层(33、53)上。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，沉积(102)另一金属层(35、54)包括：通过Ni无电镀覆工艺沉积另一Ni层。

7.如权利要求6所述的方法(100)，该方法还包括在另一Ni层(34、51)上形成可焊接封盖层。

8.如权利要求7所述的方法(100)，其中，形成可焊接封盖层包括通过Ag镀覆工艺形成Ag层。

9.如权利要求7所述的方法(100)，其中，形成可焊接封盖层包括通过Ag浸镀工艺形成Ag层，并且Ag层的厚度为150nm至600nm。

10.如前述权利要求1-4中任一项所述的方法(100)，其中，沉积(102)另一金属层(35、54)包括：通过Ag无电镀覆工艺或Ag浸镀工艺沉积Ag层。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，该方法还包括：在250℃至450℃的温度下实施烧结步骤。

12.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，第一区(1)和第二区(2)在硅基材(10)的相同侧。

13.如权利要求1-11中任一项所述的方法(100)，其中，第一区(1)和第二区(2)在硅基材(10)的相反侧。

14.如权利要求1至11或13中任一项所述方法用于制造双面光伏电池(50)的用途，所述方法包括：同时在硅基材(10)的n型区域(11、51、511)上形成第一金属电极(31、58)并且在硅基材(10)的p型区域(12、52)上形成第二金属电极(32、59)。

15.如权利要求1至12中任一项所述方法用于制造背接触式光伏电池的用途，所述方法包括：同时在硅基材(10)的n型区域(11)上形成第一金属电极(31)并且在硅基材(10)的p型区域(12)上形成第二金属电极(32)。