[发明专利]表面处理方法及用于所述方法的组合物在审
| 申请号： | 201880019856.X | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110462525A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | W·A·沃伊特恰克;朴起永;水谷笃史 | 申请（专利权）人： | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C07C311/48;C08L83/14;G03F7/075;G03F7/40;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 11415 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 艾佳<国际申请>=PCT/US2018/ |
| 地址： | 美国罗*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于处理表面的方法及用于所述方法的组合物，其中表面处理层形成于所述表面上，从而在所述表面经受半导体制造过程中的典型清洁步骤时使图案塌缩最小化或防止图案塌缩。 | ||
| 搜索关键词： | 塌缩 半导体制造过程 图案 表面处理层 处理表面 清洁步骤 最小化 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体基材的方法，所述半导体基材具有设置在所述基材的表面上的图案，所述方法包括：/n使所述表面与表面处理组合物接触，其中所述表面处理组合物包含至少一种非质子溶剂与至少一种表面处理剂，所述至少一种表面处理剂包含含Si化合物，且所述表面处理组合物在所述表面上形成表面处理层，以使所述表面具有至少约50度的水接触角；/n其中，所述图案包含具有至多约20nm尺寸的形貌。/n
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