[发明专利]表面处理方法及用于所述方法的组合物

权利要求书

1.一种用于处理半导体基材的方法，所述半导体基材具有设置在所述基材的表面上的图案，所述方法包括：

使所述表面与表面处理组合物接触，其中所述表面处理组合物包含至少一种非质子溶剂与至少一种表面处理剂，所述至少一种表面处理剂包含含Si化合物，且所述表面处理组合物在所述表面上形成表面处理层，以使所述表面具有至少约50度的水接触角；

其中，所述图案包含具有至多约20nm尺寸的形貌。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述表面包含SiO₂、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge或W。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种非质子溶剂选自由下列组成的组：碳酸酯溶剂、内酯、酮、芳香烃、硅氧烷、二醇二烷基醚、二醇烷基醚乙酸酯、酯、脲、内酰胺、二甲亚砜、和N-甲基吡咯啶酮。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种非质子溶剂包含碳酸酯溶剂。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述碳酸酯溶剂为碳酸丙烯酯。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种非质子溶剂包含内酯。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述内酯为γ-丁内酯。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种非质子溶剂为所述表面处理组合物的约90wt％至约99.9wt％。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述含Si化合物为二硅氮烷。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述二硅氮烷为六甲基二硅氮烷、七甲基二硅氮烷、N-甲基六甲基二硅氮烷、1,3-二苯基四甲基二硅氮烷或1,1,3,3-四苯基-1,3-二甲基二硅氮烷。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述含Si化合物包含三甲基硅烷基基团。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述含Si化合物为N-(三甲基硅烷基)二甲胺、N-(三甲基硅烷基)二乙胺、4-三甲基硅氧基-3-戊烯-2-酮、双-三甲基硅烷基硫酸酯、甲氧基三甲基硅烷、N-烯丙基-N,N-双(三甲基硅烷基)胺、N-(三甲基硅烷基)二乙胺、N,N-双-三甲基硅烷基脲或三-三甲基硅烷基亚磷酸酯。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述含Si化合物为氨基硅烷。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述氨基硅烷为双(二甲氨基)二甲基硅烷或苯乙基二甲基(二甲氨基)硅烷。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种表面处理剂为所述表面处理组合物的约0.5wt％至约10wt％。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述表面处理组合物还包含催化剂。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述催化剂为苯并三唑、邻苯二甲酸酐、乙酸酐、甲磺酸、硫酸、或三氟甲磺酸。

18.如权利要求16所述的方法，其中，所述催化剂为所述表面处理组合物的约0.1wt％至约1wt％。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述表面处理组合物还包含水，所述水为所述表面处理组合物的至多约2wt％。

20.如权利要求1所述的方法，其中，所述表面处理组合物基本上不含水。