[发明专利]磁穿隧接面所用的保护钝化层在审
| 申请号： | 201880019758.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110945672A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
此处揭露磁阻随机存取记忆体技术所用的磁性装置，其中具有侧壁的磁穿隧接面(MTJ,11a)形成于底电极(10a)与顶电极(14a)之间。钝化层(12)为含硼、碳、锗、或其他合金的单层或多层其形成于磁穿隧接面的侧壁，以在后续制程时保护磁穿隧接面免于反应性物种的影响。后续制程包沉积介电层(13)以电性隔离磁穿隧接面(11a)与相邻的磁穿隧接面(11b)，以及互补式金氧半制程。钝化层较佳厚约 |
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| 搜索关键词： | 磁穿隧接面 所用 保护 钝化 | ||
【主权项】：
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