[发明专利]磁穿隧接面所用的保护钝化层

权利要求书

1.一种磁性装置，包括：

(a)一磁穿隧接面，具有自其上表面延伸至下表面的侧壁，其中所述磁穿隧接面的下表面接触一底电极，而所述磁穿隧接面的上表面接触一顶电极；

(b)一钝化层，其为非磁性且含有硼、硼合金、碳、碳化硅以外的碳合金、锗、或锗合金，其中所述钝化层邻接自所述磁穿隧接面的上表面至下表面的所述磁穿隧接面的侧壁；以及

(c)一介电层，形成于所述钝化层上，其中所述介电层电性隔离所述磁穿隧接面与相邻的其他磁穿隧接面。

2.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述磁穿隧接面为磁阻随机存取记忆体、自旋扭矩转移磁阻随机存取记忆体、或自旋扭矩振荡器结构的部分。

3.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述钝化层的厚度为约至

4.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述钝化层系BSi、GeSi、BX、CX、或GeX，其中X系硼、碳、锗、铝、磷、镓、铟、铊、镁、铪、锆、铌、钒、钛、铬、钼、钨、锶、或锌，且BX中的硼、CX中的碳、与GeX中的锗系合金的至少10原子％。

5.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述钝化层包括硼、碳、或锗，且更包括氧、氮、或氧与氮，而组成为氧化硼、氧化碳、氧化锗、氮化硼、氮化碳、氮化锗、氮氧化硼、氮氧化碳、或氮氧化锗，其具有非化学计量或化学计量的氧化态或非化学计量或化学计量的氮化态。

6.根据权利要求4所述的磁性装置，其中BSi或GeSi的所述钝化层更包括氧、氮、或氧与氮，且组成为BSiO、GeSiO、BSiN、GeSiN、BSiON、或GeSiON。

7.根据权利要求4所述的磁性装置，其中BX的所述钝化层更包括氧、氮、或氮与氧，且组成为BXO、CXO、GeXO、BXN、CXN、GeXN、BXON、CXON、或GeXON。

8.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述钝化层系非晶。

9.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述钝化层接触所述磁穿隧接面与相邻的其他磁穿隧接面之间的所述底电极的上表面。

10.一种磁性装置，包括：

(a)一磁穿隧接面，具有自其上表面延伸至下表面的侧壁，其中所述磁穿隧接面的下表面接触一底电极，而所述磁穿隧接面的上表面接触一顶电极；

(b)一钝化层，系非磁性且具有双层或多层设置，包括：

(1)一底层，接触所述顶电极与所述底电极之间的所述磁穿隧接面的所述侧壁，且包含硼、碳、或锗；以及

(2)一第二层，形成于所述底层上，且包括一合金，所述合金含有一第一元素与至少一第二元素，所述第一元素系硼、碳、或锗，而所述第二元素与所述第一元素不同；以及

(c)一介电层，形成于非磁性的所述钝化层上，其中所述介电层电性隔离所述磁穿隧接面与相邻的其他磁穿隧接面。

11.根据权利要求10所述的磁性装置，其中所述磁穿隧接面系磁阻随机存取记忆体、自旋扭矩转移磁阻随机存取记忆体、或自旋扭矩振荡器结构的部分。

12.根据权利要求10所述的磁性装置，其中所述第一层系硼、碳、或锗，且所述第二层系BX、CX、或GeX，其中X系硼、碳、锗、硅、铝、磷、镓、铟、铊、镁、铪、锆、铌、钒、钛、铬、钼、钨、锶、或锌，以提供所述钝化层所用的B/BX、C/CX、或Ge/GeX的双层设置，且BX中的硼、CX中的碳、与GeX中的锗系合金的至少10原子％。