[发明专利]光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统有效
| 申请号： | 201880019502.5 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110462522B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | O·F·J·努德曼;刚天;R·P·范戈科姆 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H05G2/00;G01J1/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源；以及光刻扫描设备，其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上；和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)。控制系统用于基于感测信号确定表示EUV辐射的远场强度分布的量，并基于所确定的表示远场强度分布的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号(282)。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 系统 euv 辐射源 扫描 设备 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种光刻系统，包括：/nEUV辐射源，所述EUV辐射源被配置用于产生EUV辐射；/n光刻扫描设备，所述光刻扫描设备被配置为接收所述EUV辐射并使用所述EUV辐射来照射图案以将所述图案成像到衬底上；和/n控制系统，/n其中：/n所述EUV辐射源包括感测系统，所述感测系统被配置为提供表示所述EUV辐射的空间强度分布的感测信号；/n所述控制系统用于基于所述感测信号确定表示所述EUV辐射的远场强度分布的量，并基于所确定的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号。/n
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