[发明专利]光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统

权利要求书

1.一种光刻系统，包括：

EUV辐射源，所述EUV辐射源被配置用于产生EUV辐射；

光刻扫描设备，所述光刻扫描设备被配置为接收所述EUV辐射并使用所述EUV辐射来照射图案以将所述图案成像到衬底上；和

控制系统，

其中：

所述EUV辐射源包括感测系统，所述感测系统被配置为提供表示所述EUV辐射的空间强度分布的感测信号；

所述光刻扫描设备包括能量传感器，所述能量传感器被配置为提供表示所述EUV辐射的强度的能量传感器信号，并且其中所述控制系统被配置为：

-基于所述感测信号，确定表示所述EUV辐射的远场强度分布的量；

-基于所述能量传感器信号和所确定的量，确定所述EUV辐射的强度的值；以及

-基于所确定的量或所述EUV辐射的强度的值，确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述EUV辐射源包括源收集器模块，所述源收集器模块被配置为产生沿光轴的EUV辐射束，并且其中所述控制系统用于确定所述EUV辐射束的远场强度分布的移位并基于所述移位确定所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述EUV辐射源包括源收集器模块，所述源收集器模块被配置为用于产生沿光轴的EUV辐射束，并且其中所述控制系统用于确定所述EUV辐射束的方向并基于所述EUV辐射束的方向确定所述控制信号。

4.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述控制系统操作以确定所述EUV辐射束相对于大致垂直于所述光轴的轴线的倾斜。

5.根据权利要求2所述的光刻系统，其中，所述感测系统被配置为提供表示所述EUV辐射束相对于大致垂直于所述光轴的第一轴线的倾斜的第一感测信号和表示相对于大致垂直于所述光轴和所述第一轴线二者的第二轴线的倾斜的第二感测信号。

6.根据权利要求5所述的光刻系统，其中，相对于所述第一轴线的倾斜导致所述远场强度分布沿所述光刻扫描设备的扫描方向的移位，并且其中相对于所述第二轴线的倾斜导致所述远场强度分布沿所述光刻扫描设备的非扫描方向的移位。

7.根据权利要求5或6所述的光刻系统，其中，所述感测系统包括用于产生所述第一感测信号的第一对传感器，所述第一对传感器中的第一传感器和所述第一对传感器中的第二传感器被布置在第一平面的相对的两侧上，所述第一平面包含所述光轴并平行于所述第一轴线，并且其中所述感测系统包括用于产生所述第二感测信号的第二对传感器，所述第二对传感器中的第一传感器和所述第二对传感器中的第二传感器被布置在第二平面的相对的两侧上，所述第二平面包含所述光轴并平行于所述第二轴线。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻系统，其中，所述能量传感器被配置为测量邻近所述光刻扫描设备的照射狭缝的EUV辐射的强度。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻系统，其中，所述光刻扫描设备还包括均匀性校正模块，所述均匀性校正模块被配置为调整所述EUV辐射的强度分布，并且其中，所述控制信号被配置为控制所述均匀性校正模块。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻系统，其中，由所述能量传感器测量的EUV辐射的强度表示在曝光过程期间施加到图案形成装置上的EUV辐射的强度。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻系统，其中，所述感测系统被配置为在曝光过程期间提供所述感测信号。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻系统，其中，所述能量传感器被配置为在曝光过程期间提供所述能量传感器信号。