[发明专利]离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件有效
| 申请号： | 201880018758.4 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110431650B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 艾立克·赫尔曼森;菲力浦·莱恩;詹姆斯·艾伦·皮克斯利 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/05;H01J37/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本发明通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 系统 及其 方法 以及 静电 过滤器 导电 光学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入系统，包括：静电过滤器(EF)，位于所述离子植入系统的腔室内，所述静电过滤器包括导电束光学器件，所述导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽；以及电源供应器，与所述静电过滤器连通，所述电源供应器被配置成向所述导电束光学器件供应电压及电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880018758.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
