[发明专利]离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件

权利要求书

1.一种离子植入系统，包括：

静电过滤器，位于所述离子植入系统的腔室内，所述静电过滤器包括导电束光学器件，所述导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽，其中所述多个沟槽沿所述导电束光学器件的长度排列成螺旋图案；以及

电源供应器，与所述静电过滤器连通，所述电源供应器被配置成在处理模式期间向所述导电束光学器件供应电压及电流。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述多个沟槽中的每一者延伸到所述导电束光学器件中均匀的深度。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述多个沟槽中的每一者为v形状。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述多个沟槽彼此均匀地间隔开。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括多个导电束光学器件。

6.一种离子植入方法，包括：

在离子植入系统的腔室内提供静电过滤器，其中所述静电过滤器包括多个导电束光学器件，且其中所述多个导电束光学器件中的至少一者具有形成在外表面中的多个沟槽；

将所述多个沟槽沿所述多个导电束光学器件中的所述至少一者的长度设置成螺旋形图案；以及

将电源供应器耦合到所述静电过滤器，所述电源供应器被配置成向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。

7.根据权利要求6所述的离子植入方法，还包括在处理模式期间向所述静电过滤器供应所述电压及所述电流。

8.根据权利要求6所述的离子植入方法，其中所述多个沟槽中的每一者延伸到所述多个导电束光学器件中的所述至少一者中均匀的深度。

9.根据权利要求6所述的离子植入方法，其中所述多个沟槽中的每一者被形成为v形状。

10.根据权利要求6所述的离子植入方法，还包括将所述多个沟槽彼此均匀地间隔开。

11.根据权利要求6所述的离子植入方法，还包括将所述多个导电束光学器件设置在离子束线周围。

12.一种静电过滤器的导电束光学器件，所述导电束光学器件包括：

彼此相对的第一轴向端与第二轴向端；

中心区段，在所述第一轴向端与所述第二轴向端之间延伸；以及

多个沟槽，形成在所述中心区段的外表面中，其中所述多个沟槽沿所述导电束光学器件的长度排列成螺旋图案。