[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号: | 201880017894.1 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN110431646B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 石井伦太郎;佐藤铁兵;国吉太 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
| 主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/00;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其包括以下工序:准备添加合金粉末的工序,所述添加合金粉末包含以下元素且满足下述式(1):Co:3.5~8.5质量%、B:0.2~0.8质量%、R:33~69质量%、T:10~60质量%、Cu:0.8~3质量%、Ga:1.8~10质量%;准备主合金粉末的工序,所述主合金粉末包含以下元素:B:0.91~1.1质量%、R:28.5~33质量%、T:64~70质量%、Ga:0.1~0.4质量%;准备包含1~16质量%的添加合金粉末和82~99质量%的主合金粉末的混合合金粉末的工序;将混合合金粉末进行成形而得到成形体的工序;将成形体进行烧结而得到烧结体的工序;以及对烧结体进行热处理的工序,14×[B]/10.8≤[T]/55.85≤14×[B]/10.8×2···(1),其中,[B]和[T]为添加合金粉末中的B和T的含量(质量%)。 | ||
| 搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其是制造以下的R‑T‑B系烧结磁体的方法,所述R‑T‑B系烧结磁体包含以下元素:R:28.5~33.0质量%,其中,R为稀土类元素,包含Nd和Pr中的至少一种、Co:0.2~0.9质量%、B:0.85~0.91质量%、Cu:0.05~0.50质量%、Ga:0.3~0.7质量%、和T:63~70质量%,其中,T为Fe和Co,并且除了上述规定的Co以外为Fe,所述方法包括以下工序:准备添加合金粉末的工序,所述添加合金粉末包含以下元素且满足下述式(1):R:33~69质量%、Co:3.5~8.5质量%、B:0.2~0.8质量%、Cu:0.8~3.0质量%、Ga:1.8~10质量%、和T:10~60质量%,T为Fe和Co,并且除了上述规定的Co以外为Fe,14×[B]/10.8≤[T]/55.85≤14×[B]/10.8×2···(1)其中,[B]和[T]分别为上述添加合金粉末所含的B和T的以质量%表示的含量;准备主合金粉末的工序,所述主合金粉末包含以下元素:R:28.5~33.0质量%、B:0.91~1.10质量%、Ga:0.1~0.4质量%、和T:64~70质量%,其中,T为Fe,T的0~10质量%以上能够被Co置换;准备包含1~16质量%的所述添加合金粉末、和82~99质量%的所述主合金粉末的混合合金粉末的工序;将所述混合合金粉末进行成形而得到成形体的工序;将所述成形体进行烧结而得到烧结体的工序;以及对所述烧结体进行热处理的工序。
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