[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号: | 201880017894.1 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN110431646B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 石井伦太郎;佐藤铁兵;国吉太 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
| 主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/00;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其包括以下工序:准备添加合金粉末的工序,所述添加合金粉末包含以下元素且满足下述式(1):Co:3.5~8.5质量%、B:0.2~0.8质量%、R:33~69质量%、T:10~60质量%、Cu:0.8~3质量%、Ga:1.8~10质量%;准备主合金粉末的工序,所述主合金粉末包含以下元素:B:0.91~1.1质量%、R:28.5~33质量%、T:64~70质量%、Ga:0.1~0.4质量%;准备包含1~16质量%的添加合金粉末和82~99质量%的主合金粉末的混合合金粉末的工序;将混合合金粉末进行成形而得到成形体的工序;将成形体进行烧结而得到烧结体的工序;以及对烧结体进行热处理的工序,14×[B]/10.8≤[T]/55.85≤14×[B]/10.8×2···(1),其中,[B]和[T]为添加合金粉末中的B和T的含量(质量%)。
技术领域
本申请涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。
背景技术
以R2T14B型化合物作为主相的R-T-B系烧结磁体(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd,T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe)已知为永磁体中性能最高的磁体,用于硬盘驱动器音圈电动机(VCM)、电动汽车(EV、HV、PHV)用电动机、工业设备用电动机等各种电动机、家电制品等各种各样的用途。
R-T-B系烧结磁体在高温下矫顽力HcJ(以下,有时简记为“HcJ”)降低,发生不可逆热退磁。因此,特别是在用于电动汽车用电动机的情况下,为了在高温下也维持高HcJ,在室温下要求更高的HcJ。
以往,为了提高HcJ,在R-T-B系烧结磁体中大量添加重稀土类元素(主要为Dy),但存在残留磁通密度Br(以下,有时简记为“Br”)降低的问题。因此,近年来采用了以下方法:使重稀土类元素从R-T-B系烧结磁体的表面扩散至内部从而使重稀土类元素在主相晶粒的外壳部稠化来抑制Br的降低、并得到高HcJ的方法。
然而,Dy由于产地有限等原因,存在供给不稳定以及价格发生变动等问题。因此,需要尽可能减少Dy等重稀土类元素的使用量而提高R-T-B系烧结磁体的HcJ的技术。
专利文献1记载了通过与通常的R-T-B系合金相比降低了B量,并且含有选自Al、Ga、Cu中的一种以上的金属元素M,从而生成R2T17相,并且通过充分确保以该R2T17相作为原料而生成的过渡金属富集相(R6T13M)的体积率,从而可得到抑制Dy的含量、且矫顽力高的R-T-B系稀土类烧结磁体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2013/008756号
发明内容
发明要解决的课题
如专利文献1所记载那样,比通常的R-T-B系烧结磁体减少B量(比R2T14B型化合物的化学计量比的B量少)、并添加Ga等而制造的R-T-B系烧结磁体中,生成了过渡金属富集相(R-T-Ga相),由此能够在一定程度上提高HcJ。然而,专利文献1所公开的R-T-B系稀土类烧结磁体虽然降低了Dy的含量并且能够发挥在一定程度上较高的HcJ,但近年来,不足以满足在电动汽车用电动机等用途中要求的充分高的HcJ。
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