[发明专利]弹性波装置及弹性波装置封装件

摘要

提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)。

主权项

1.一种弹性波装置，具备：支承基板，其由硅构成；氧化硅膜，其设置在所述支承基板上；压电体，其设置在所述氧化硅膜上；以及IDT电极，其设置在所述压电体的一个主面上，当将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述支承基板的厚度为3λ以上，在所述压电体传播的第一高次模式的声速与在所述支承基板内传播的体波的声速即下述的式(1)的声速V_Si相同，或者与所述声速V_Si相比为高速，V_Si＝(V₁)^1/2(m/秒)...式(1)式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解，Ax³+Bx²+Cx+D＝0...式(2)在式(2)中，A、B、C及D分别是由下述的式(2A)～(2D)表示的值，A＝‑ρ³...式(2A)B＝ρ²(L₁₁+L₂₂+L₃₃)...式(2B)C＝ρ(L₂₁²+L₂₃²+L₃₁²‑L₁₁·L₃₃‑L₂₂·L₃₃‑L₁₁·L₂₂)...式(2C)D＝2·L₂₁·L₂₃·L₃₁+L₁₁·L₂₂·L₃₃‑L₃₁²·L₂₂‑L₁₁·L₂₃²‑L₂₁²·L₃₃...式(2D)其中，在式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，ρ＝2.331(g/cm³)，另外，L₁₁、L₂₂、L₃₃、L₂₁、L₃₁及L₂₃是由下述的式(3A)～(3F)表示的值，L₁₁＝c₁₁·a₁²+c₄₄·a₂²+c₄₄·a₃²...式(3A)L₂₂＝c₄₄·a₁²+c₁₁·a₂²+c₄₄·a₃²...式(3B)L₃₃＝c₄₄·a₁²+c₄₄·a₂²+c₁₁·a₃²...式(3C)L₂₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₂·a₁...式(3D)L₃₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₁·a₃...式(3E)L₂₃＝(c₄₄+c₁₂)·a₃·a₂...式(3F)其中，在式(3A)～(3F)中，c₁₁、c₁₂、c₄₄分别是c₁₁＝1.674E+11(N/m²)、c₁₂＝6.523E+10(N/m²)、c₄₄＝7.957E+10(N/m²)，另外，a₁、a₂及a₃是由下述的式(4A)～(4C)表示的值，a₃＝sin(θ)·sin(ψ)...式(4C)而且，式(4A)～(4C)中的θ及ψ是所述支承基板的晶体取向中的θ、ψ。