[发明专利]弹性波装置及弹性波装置封装件

说明书

提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解Vsubgt;1/subgt;、Vsubgt;2/subgt;、Vsubgt;3/subgt;中的Vsubgt;1/subgt;规定的、在支承基板内传播的体波的声速Vsubgt;Si/subgt;＝(Vsubgt;1/subgt;)supgt;1/2/supgt;相同、或者与Vsubgt;si/subgt;相比为高速。Axsupgt;3/supgt;+Bxsupgt;2/supgt;+Cx+D＝0...式(2)。

技术领域

本发明涉及在由硅构成的支承基板上设置有压电体的弹性波装置。

背景技术

以往，提出了各种使用由硅构成的支承基板的弹性波装置。

在下述的专利文献1中，公开了在硅制的支承基板上层叠有机粘合层和压电基板而成的弹性波装置。而且，通过在硅的(111)面接合来提高耐热性

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平2010-187373号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所记载的弹性波装置中，根据由硅构成的支承基板的晶体取向，在支承基板传播的体波的声速有时高于在压电体传播的高次模式的声速。在该情况下，存在如下问题：应泄漏到支承基板侧的高次模式有时被封闭到比支承基板靠上层的位置，导致高次模式的响应变大。

而且，在上述高次模式是频率比在压电体传播的主模式高且频率最接近主模式的响应的第一高次模式的情况下，第一高次模式处于接近主模式的响应的位置，因此，可能对滤波器特性造成不良影响。

而且，这里所说的主模式是指如下的波的模式：在弹性波装置为带通型滤波器用的谐振器的情况下，在滤波器的通带内存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方，并且，谐振频率下的阻抗与反谐振频率下的阻抗之差最大。另外，在弹性波装置为滤波器的情况下，是为了形成滤波器的通带而使用的波的模式。

本发明的目的在于，提供一种能够抑制在压电体传播的上述第一高次模式的响应的弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置。

用于解决课题的手段

本发明是一种弹性波装置，具备：支承基板，其由硅构成；氧化硅膜，其设置在所述支承基板或上方；压电体，其设置在所述氧化硅膜上；以及IDT电极，其设置在所述压电体的一个主面上，当将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述支承基板的厚度为3λ以上，在所述压电体传播的第一高次模式的声速与在所述支承基板内传播的体波的声速即下述的式(1)的声速V_Si相同，或者与所述声速V_Si相比为高速。

在本发明中，声速V_Si由以下的式(1)表示。

V_Si＝(V₁)^1/2(m/秒)...式(1)

式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解。

Ax³+Bx²+Cx+D＝0...式(2)

在式(2)中，A、B、C及D分别是由下述的式(2A)～(2D)表示的值。

A＝-ρ³...式(2A)