[发明专利]表面处理组合物及其制造方法、以及使用表面处理组合物的表面处理方法及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201880016116.0 | 申请日： | 2018-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110402478B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 石田康登;吉野努;大西正悟;吉崎幸信 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14;C11D7/22 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [课题]目的为提供充分地去除研磨完成的研磨对象物的表面上残留的残渣的手段。[解决手段]一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，该高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、羧酸(盐)基及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，该表面处理组合物的pH值不足7，前述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 组合 及其 制造 方法 以及 使用 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理组合物，其含有高分子化合物和水，所述高分子化合物具有选自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基、羧酸(盐)基、及氨基组成的组中的至少1种离子性官能团，所述表面处理组合物的pH不足7，所述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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