[发明专利]表面处理组合物及其制造方法、以及使用表面处理组合物的表面处理方法及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种表面处理组合物，其含有高分子化合物、酸和水，

所述高分子化合物具有选自由磺酸基、磺酸盐基、磷酸基、磷酸盐基、膦酸基、膦酸盐基、羧酸基及羧酸盐基组成的组中的至少1种离子性官能团，

所述表面处理组合物实质上不含有磨粒，

所述表面处理组合物的pH不足7，

所述高分子化合物的pKa为3以下，且重均分子量为3500以上且100000以下，

所述磺酸盐基为选自由磺酸碱金属盐基及磺酸第2族元素盐基组成的组中的至少1种，

所述磷酸盐基为磷酸金属盐基，

所述膦酸盐基为选自由膦酸碱金属盐基及膦酸第2族元素盐基组成的组中的至少1种，

所述羧酸盐基为选自由羧酸碱金属盐基及羧酸第2族元素盐基组成的组中的至少1种，

相对于所述表面处理组合物的总质量，所述高分子化合物的含量为0.5质量％以上且10质量％以下，

所述酸仅包含选自由硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次膦酸、亚磷酸、磷酸、羧酸、甲磺酸、乙磺酸及羟乙基磺酸组成的组中的至少1种酸。

2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述高分子化合物包含共聚物，该共聚物包含具有选自由磺酸基、磺酸盐基、羧酸基及羧酸盐基组成的组中的至少1种离子性官能团的结构单元和其他结构单元。

3.根据权利要求2所述的表面处理组合物，其中，所述其他结构单元包含源自烯属不饱和单体的结构单元。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述高分子化合物包含均聚物，该均聚物仅包含具有选自由磺酸基、磺酸盐基、磷酸基、磷酸盐基、膦酸基及膦酸盐基组成的组中的至少1种酸性官能团的结构单元。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述高分子化合物包含具有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的高分子化合物。

6.根据权利要求5所述的表面处理组合物，其中，所述具有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的高分子化合物为选自由含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的聚乙烯醇、含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的聚苯乙烯、含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的聚乙酸乙烯酯、含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的聚酯、含（甲基）丙烯酰基单体-含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的单体的共聚物、含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的聚异戊二烯、含有选自由磺酸基及磺酸盐基组成的组中的至少1种基团的烯丙基聚合物、及它们的盐组成的组中的至少1种。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其中，相对于表面处理组合物中包含的聚合物的总质量，所述高分子化合物的含量为50质量%以上。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其还包含润湿剂。

9.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其pH值为1以上且不足3。

10.根据权利要求1~3中任一项所述的表面处理组合物，其用于减少研磨完成的研磨对象物的表面上的残渣。

11.根据权利要求10所述的表面处理组合物，其中，所述研磨完成的研磨对象物包含选自由氮化硅、氧化硅及多晶硅组成的组中的至少1种。

12.根据权利要求10所述的表面处理组合物，其中，所述残渣为有机物残渣。

13.一种表面处理方法，其中，使用权利要求1~12中任一项所述的表面处理组合物对研磨完成的研磨对象物进行表面处理，从而减少研磨完成的研磨对象物的表面上的残渣。