[发明专利]半导体光检测元件有效
| 申请号： | 201880016049.2 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110383503B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 大藤和人;伊藤将师;柴山胜己;坂本明 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;B82Y20/00;C01B32/158;G01J1/02;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体光检测元件具有：半导体部，其具有包含受光区域的表面，该受光区域是接收入射光的区域，半导体部对入射到所述受光区域的入射光进行光电转换；设置在所述表面上的金属部；和碳纳米管膜，其设置在受光区域上，由多个碳纳米管堆积而成。碳纳米管膜从受光区域的上表面跨上到金属部的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光检测元件，其特征在于，具有：半导体部，其具有包含受光区域的表面，所述受光区域是接收入射光的区域，所述半导体部对入射到所述受光区域的所述入射光进行光电转换；设置在所述表面上的金属部；和碳纳米管膜，其设置在所述受光区域上，由多个碳纳米管堆积而成，所述碳纳米管膜从所述受光区域的上表面跨上到所述金属部的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社，未经浜松光子学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880016049.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能单电池
- 下一篇：用于制造光电子半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
