[发明专利]半导体光检测元件

权利要求书

1.一种半导体光检测元件，其特征在于，具有：

半导体部，其具有包含受光区域的表面，所述受光区域是接收入射光的区域，所述半导体部对入射到所述受光区域的所述入射光进行光电转换；

设置在所述表面上的金属部；

碳纳米管膜，其设置在所述受光区域上，由多个碳纳米管堆积而成；和

在所述受光区域的相反侧设置于所述半导体部上的信号读出电路，

所述碳纳米管膜从所述受光区域的上表面跨上到所述金属部的上表面，

所述半导体部包含第一导电型半导体层，

所述半导体层具有包含所述受光区域的表面，

在所述半导体层中的对应于所述受光区域的区域中，所述受光区域侧的第一导电型的杂质浓度高于所述信号读出电路侧的第一导电型的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述多个碳纳米管由束状的碳纳米管和非束状的碳纳米管构成。

3.根据权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜的薄层电阻为10⁴Ω/□以上。

4.根据权利要求2所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜的薄层电阻为10⁴Ω/□以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的所述多个碳纳米管的长度为以所述表面为基准的所述金属部的所述上表面的高度以上。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的所述多个碳纳米管的长度为1μm以上。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的单层碳纳米管的比率比多层碳纳米管的比率大。

8.根据权利要求5所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的单层碳纳米管的比率比多层碳纳米管的比率大。

9.根据权利要求6所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的单层碳纳米管的比率比多层碳纳米管的比率大。

10.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的多层碳纳米管的比率比单层碳纳米管的比率大。

11.根据权利要求5所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的多层碳纳米管的比率比单层碳纳米管的比率大。

12.根据权利要求6所述的半导体光检测元件，其特征在于：

所述碳纳米管膜中所含的多层碳纳米管的比率比单层碳纳米管的比率大。

13.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于：

400nm以下的波长区域中的所述碳纳米管膜的透射率为85％以上。

14.根据权利要求13所述的半导体光检测元件，其特征在于：

200nm以上的波长区域中的所述碳纳米管膜的透射率为85％以上。