[发明专利]防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号: | 201880012953.6 | 申请日: | 2018-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN110325908A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
| 发明(设计)人: | 高村一夫;小野阳介;大久保敦;种市大树;石川比佐子;美谷岛恒明 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供EUV透射性高、释气少、污染少的EUV用防护膜组件及其制造方法。防护膜组件(100)的特征在于,具有防护膜(101)、支撑框(103)以及第1粘接层(109),所述第1粘接层(109)设置于支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,在第1粘接层的沿与防护膜面交叉的方向且处于吊挂防护膜一侧的侧面具有无机物层(111),上述无机物层的质量吸收系数(μm)为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。 | ||
| 搜索关键词: | 防护膜 防护膜组件 粘接层 无机物层 支撑框 吊挂 质量吸收系数 半导体装置 曝光装置 面交叉 透射性 释气 原版 制造 侧面 曝光 污染 | ||
【主权项】:
1.一种防护膜组件,其特征在于,具有防护膜、支撑防护膜的支撑框以及第1粘接层,所述第1粘接层设置于所述支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,在所述第1粘接层的沿与所述防护膜面交叉的方向且处于吊挂所述防护膜一侧的侧面具有无机物层,所述无机物层的质量吸收系数μm为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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