[发明专利]防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880012953.6 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN110325908A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 高村一夫;小野阳介;大久保敦;种市大树;石川比佐子;美谷岛恒明 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64;G03F7/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;金鲜英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供EUV透射性高、释气少、污染少的EUV用防护膜组件及其制造方法。防护膜组件(100)的特征在于,具有防护膜(101)、支撑框(103)以及第1粘接层(109),所述第1粘接层(109)设置于支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,在第1粘接层的沿与防护膜面交叉的方向且处于吊挂防护膜一侧的侧面具有无机物层(111),上述无机物层的质量吸收系数(μm)为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。
搜索关键词: 防护膜 防护膜组件 粘接层 无机物层 支撑框 吊挂 质量吸收系数 半导体装置 曝光装置 面交叉 透射性 释气 原版 制造 侧面 曝光 污染
【主权项】:
1.一种防护膜组件,其特征在于,具有防护膜、支撑防护膜的支撑框以及第1粘接层,所述第1粘接层设置于所述支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,在所述第1粘接层的沿与所述防护膜面交叉的方向且处于吊挂所述防护膜一侧的侧面具有无机物层,所述无机物层的质量吸收系数μm为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。
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