[发明专利]防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880012953.6 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN110325908A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 高村一夫;小野阳介;大久保敦;种市大树;石川比佐子;美谷岛恒明 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64;G03F7/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;金鲜英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 防护膜 防护膜组件 粘接层 无机物层 支撑框 吊挂 质量吸收系数 半导体装置 曝光装置 面交叉 透射性 释气 原版 制造 侧面 曝光 污染
【权利要求书】:

1.一种防护膜组件,其特征在于,具有防护膜、支撑防护膜的支撑框以及第1粘接层,所述第1粘接层设置于所述支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,

在所述第1粘接层的沿与所述防护膜面交叉的方向且处于吊挂所述防护膜一侧的侧面具有无机物层,

所述无机物层的质量吸收系数μm为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。

2.根据权利要求1所述的防护膜组件,所述支撑框具有与所述防护膜连接的第1框体以及与所述第1框体连接的第2框体。

3.根据权利要求2所述的防护膜组件,所述第1框体和所述第2框体通过第2粘接层连接,在所述第2粘接层的沿与防护膜面交叉的方向的侧面中的任一者具有第2无机物层。

4.根据权利要求1所述的防护膜组件,所述无机物层在厚度400nm时,波长13.5nm的EUV光即极紫外光的透射率为10%以下。

5.根据权利要求1所述的防护膜组件,所述无机物层的厚度为50nm以上。

6.根据权利要求1所述的防护膜组件,所述无机物层为金属层。

7.根据权利要求6所述的防护膜组件,所述金属层为从铝、钛、铬、铁、镍、铜、钌、钽和金的组中选出的任一种金属、包含从所述组中选出的两种以上元素的合金、或者包含从所述组中选出的任一种或两种以上元素的氧化物。

8.根据权利要求1所述的防护膜组件,在所述第1粘接层的与形成有防护膜一侧相反一侧的端面具有保护层。

9.一种曝光原版,其包含:原版、以及安装于所述原版的具有图案一侧的面的权利要求1所述的防护膜组件。

10.一种曝光装置,其具有权利要求9所述的曝光原版。

11.一种曝光装置,其具有:

发出曝光光的光源、

权利要求9所述的曝光原版、以及

将从所述光源发出的曝光光引导至所述曝光原版的光学系统,

所述曝光原版以使从所述光源发出的曝光光透过所述防护膜而照射于所述原版的方式配置。

12.根据权利要求11所述的曝光装置,所述曝光光为EUV光即极紫外光。

13.一种半导体装置的制造方法,其中,

使从光源发出的曝光光透过权利要求9所述的曝光原版的防护膜而照射于所述原版,并在所述原版进行反射,

使被所述原版反射的曝光光透过所述防护膜而照射于感应基板,从而将所述感应基板曝光成图案状。

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