[发明专利]具有改进热传递的半导体光刻的投射曝光设备有效
| 申请号： | 201880012877.9 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110312969B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | U.韦伯;W.安德尔 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体光刻的投射光系统，其包括将系统的部件(22)连接到支撑冷却结构(23)的连接元件(21)。连接元件(21)具有接收部件(22)的接收区域(24)和将连接元件(21)连接到投射光系统的支撑冷却结构(23)的足部区域(25)。至少一个接合件(26)布置在接收区域(24)和足部区域(25)之间，并且至少一个热传导元件(27)布置接收区域(24)和足部区域(25)之间。根据本发明，热传导元件(27)在接合件(26)的致动方向上是柔软的，并且垂直于接合件(26)的致动方向展示出一刚性，该刚性至少是在接合件(26)的致动方向上的刚性的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 传递 半导体 光刻 投射 曝光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，具有将所述设备的部件(22)连接到支撑冷却结构(23)的连接元件(21)，其中所述连接元件(21)具有接收所述部件(22)的接收区域(24)和连接到所述投射曝光设备(1)的支撑冷却结构(23)的足部区域(25)，并且其中至少一个接合件(26)布置在所述接收区域(24)和所述足部区域(25)之间，并且其中另外至少一个热传导元件(27)布置在所述接收区域(24)和所述足部区域(25)之间，其特征在于，所述热传导元件(27)配置为在所述接合件(26)的致动方向上是柔软的，并且在于所述热传导元件(27)垂直于所述接合件(26)的致动方向具有的刚性至少是在所述接合件(26)的致动方向上的刚性的两倍。
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