[发明专利]具有改进热传递的半导体光刻的投射曝光设备有效
申请号: | 201880012877.9 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN110312969B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | U.韦伯;W.安德尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 传递 半导体 光刻 投射 曝光 设备 | ||
本发明涉及一种半导体光刻的投射光系统,其包括将系统的部件(22)连接到支撑冷却结构(23)的连接元件(21)。连接元件(21)具有接收部件(22)的接收区域(24)和将连接元件(21)连接到投射光系统的支撑冷却结构(23)的足部区域(25)。至少一个接合件(26)布置在接收区域(24)和足部区域(25)之间,并且至少一个热传导元件(27)布置接收区域(24)和足部区域(25)之间。根据本发明,热传导元件(27)在接合件(26)的致动方向上是柔软的,并且垂直于接合件(26)的致动方向展示出一刚性,该刚性至少是在接合件(26)的致动方向上的刚性的两倍。
本申请要求德国专利申请DE 10 2017 202 653.7的优先权,其内容通过引用全部并入本文。
本发明涉及半导体光刻的投射曝光设备,特别是EUV投射曝光设备。这样的设备用于特别是在半导体部件或其他微结构的部件上制造非常精细的结构。所述的设备的操作原理基于以下:通过总体上将掩模(使用被称为掩模母版)上的结构缩小成像在配备有感光材料的要结构化的元件上,制造非常精细结构以高达纳米范围。制造的结构的最小尺寸直接取决于所使用的光的波长。最近,已经越来越多地使用具有发射波长在若干纳米的范围中(例如在1nm和30nm之间的范围中,特别是在13.5nm的范围中)的光源。所描述的波长范围还被称为EUV范围。
用于如上所描述的应用的成像的光学部件必须用最佳精度定位,以便可以确保足够的成像质量。如上提及的光学部件例如是场分面反射镜。这种类型的场分面反射镜例如从WO 2007/128407 A1获悉。
EUV应用中的高热负载的光学部件具体而言是那些场分面反射镜,它们的分面被固定到倾斜的操纵器并且经由操纵器的对应接合件发生热耗散。
文档DE 10 2008 049 556 A1公开了微光刻投射曝光设备包含具有主体和多个反射镜单元的反射镜布置。这些单元各包括反射镜和挠曲件,该挠曲件由至少一个接合件部件连接到主体。调整装置使得更改每个特定反射镜相对于主体的取向是可能的。为了减少其抗弯刚度,接合件部件被细分成多个间隔开的接合件元件。此外,反射镜单元具有热传导元件,该热传导元件不帮助支撑反射镜,连接到反射镜并且在主体的方向上延伸,使得可以将热从热传导元件转移到主体。
本发明的目的是在半导体光刻的投射曝光设备的部件方面开发半导体光刻的投射曝光设备。特别地,旨在于提供反射镜布置,其中在反射镜中产生的热可以特别容易地耗散,使得可以可靠地避免过热。
该目的由具有独立权利要求1的特征的装置来实现。从属权利要求涉及本发明的有利发展例和变型。
根据本发明的半导体光刻的投射曝光设备包括将设备的部件连接到支撑冷却结构的连接元件。连接元件具有接收部件的接收区域和连接到投射曝光设备的支撑冷却结构的足部区域。至少一个接合件布置在接收区域和足部区域之间,并且至少一个热传导元件布置在接收区域和足部区域之间。
在这种情况下,热传导元件配置为在接合件的致动方向上是柔软的,并且垂直于接合件的致动方向具有的刚性至少是在接合件的致动方向上的刚性的两倍。
换言之,本发明创造了在致动方向上是柔性但是具有限定刚性的热传导元件。特别是与高度柔性的线或带相比,根据本发明所使用的接合件使得精确计算其刚性是可能的。与此相反,例如线可以用各种各样的方式将其端部的附着点接合在一起,并且因此具有未限定的刚性。
特别是,垂直于致动方向,接合件可以比热传导元件更加坚硬50倍。
在本发明的有利实施例中,接合件可以是挠曲件。因此,与连接元件结合的操纵器的期望运动学以其他限定的方式来配置。驱动操纵器所需的力经由与热传导元件的刚性结合的挠曲件的刚性来限定。
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