[发明专利]基于在石墨烯型基底上生长的纳米线的激光器或LED有效
| 申请号： | 201880010184.6 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110249491B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | B·O·M·菲姆兰;H·韦曼;D·任 | 申请（专利权）人： | 挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/34;H01S5/343;H01S5/183;H01S5/42;H01S5/04;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置，比如发光装置，例如激光装置，该装置包括：多个III‑V族半导体NW，多个III‑V族半导体NW生长在石墨基底的一侧上，优选地穿过所述石墨基底上的可选的孔图案掩模的孔；第一分布式布拉格反射器或金属镜，第一分布式布拉格反射器或金属镜大致平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述NW的相对侧；可选地，第二分布式布拉格反射器或金属镜与所述NW的至少一部分的顶部相接触；以及其中所述NW包括n型掺杂区域和p型掺杂区域以及可选地位于n型掺杂区域与p型掺杂区域之间的本征区域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 基底 生长 纳米 激光器 led | ||
【主权项】：
1.一种装置，比如发光装置，例如激光装置，所述装置包括：多个III‑V族半导体NW，所述多个III‑V族半导体NW生长在石墨基底的一侧上，优选地穿过所述石墨基底上的可选的孔图案掩模的孔；第一分布式布拉格反射器或金属镜，所述第一分布式布拉格反射器或金属镜大致平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述NW的相对侧上；可选地，第二分布式布拉格反射器或金属镜与所述NW的至少一部分的顶部相接触；以及其中所述NW包括n型掺杂区域和p型掺杂区域以及可选地位于所述n型掺杂区域与所述p型掺杂区域之间的本征区域。
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