[发明专利]基于在石墨烯型基底上生长的纳米线的激光器或LED有效
| 申请号： | 201880010184.6 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110249491B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | B·O·M·菲姆兰;H·韦曼;D·任 | 申请（专利权）人： | 挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/34;H01S5/343;H01S5/183;H01S5/42;H01S5/04;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 基底 生长 纳米 激光器 led | ||
1.一种谐振腔发光二极管RCLED装置，所述装置包括：
多个III-V族半导体纳米线，所述多个III-V族半导体纳米线生长在石墨基底的一侧上，其中所述石墨基底具有5nm或更小的厚度；
第一分布式布拉格反射器或金属镜，所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述多个III-V族半导体纳米线的相对侧上；
第二光反射器，使得所述多个III-V族半导体纳米线被布置在所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜和所述第二光反射器之间，以限定光谐振器；
以及其中所述多个III-V族半导体纳米线包括n型掺杂区域和p型掺杂区域。
2.一种激光装置，所述装置包括：
多个III-V族半导体纳米线，所述多个III-V族半导体纳米线生长在石墨基底的一侧上，其中所述石墨基底具有5nm或更小的厚度；
第一分布式布拉格反射器或金属镜，所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述多个III-V族半导体纳米线的相对侧上；
第二光反射器，使得所述多个III-V族半导体纳米线被布置在所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜和所述第二光反射器之间，以限定光谐振器；
以及其中所述多个III-V族半导体纳米线包括n型掺杂区域和p型掺杂区域。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述多个III-V族半导体纳米线包括位于所述n型掺杂区域与所述p型掺杂区域之间的本征区域。
4.一种谐振腔发光二极管RCLED装置，所述装置包括：
多个III-V族半导体纳米线，所述多个III-V族半导体纳米线生长在石墨基底的一侧上，其中所述石墨基底具有5nm或更小的厚度；
第一分布式布拉格反射器或金属镜，所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述多个III-V族半导体纳米线的相对侧上；
第二光反射器，使得所述多个III-V族半导体纳米线被布置在所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜和所述第二光反射器之间，以限定光谐振器；
其中所述多个III-V族半导体纳米线包括n型掺杂区域和p型掺杂区域；以及
其中所述n型掺杂区域和所述p型掺杂区域中的至少一个包括至少一个异质结构。
5.一种激光装置，所述装置包括：
多个III-V族半导体纳米线，所述多个III-V族半导体纳米线生长在石墨基底的一侧上，其中所述石墨基底具有5nm或更小的厚度；
第一分布式布拉格反射器或金属镜，所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述多个III-V族半导体纳米线的相对侧上；
第二光反射器，使得所述多个III-V族半导体纳米线被布置在所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜和所述第二光反射器之间，以限定光谐振器；
其中所述多个III-V族半导体纳米线包括n型掺杂区域和p型掺杂区域；以及
其中所述n型掺杂区域和所述p型掺杂区域中的至少一个包括至少一个异质结构。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其中所述多个III-V族半导体纳米线包括位于所述n型掺杂区域与所述p型掺杂区域之间的本征区域。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述n型掺杂区域、所述p型掺杂区域和所述本征区域中的至少一个包括电子阻挡层或空穴阻挡层。
8.根据权利要求1、2、4和5中任一项所述的装置，其中所述第一分布式布拉格反射器或所述金属镜与所述石墨基底关于所述多个III-V族半导体纳米线的相对侧相接触。
9.根据权利要求1、2、4和5中任一项所述的装置，其中所述n型区域和所述p型掺杂区域中的至少一个包括电子阻挡层或空穴阻挡层。
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