[发明专利]具有主动短路故障模式的功率半导体装置在审
| 申请号： | 201880009835.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110268522A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 柳春雷;F.杜加尔;M.拉希莫;P.K.施泰默 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L25/07;H01L29/16;H01L23/051;H01L23/535 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;张金金 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 功率半导体装置（10）包括提供Si开关（14）的Si芯片（12）以及提供宽带隙材料开关（18）的宽带隙材料芯片（16），其中Si开关（14）和宽带隙材料开关（18）被并联电连接。用于控制功率半导体装置（10）的方法包括：在正常操作模式期间，通过将对应栅极信号施加到至少宽带隙材料开关（18）来控制至少宽带隙材料开关（18）以用于切换经过功率半导体装置（10）的电流；感测功率半导体装置（10）中的故障；以及在所感测故障的情况下，通过施加栅极信号来控制Si开关（14），使得在Si芯片（12）中生成电流，所述电流将Si芯片（12）加热到形成经过Si芯片（12）的永久导通通路的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带隙材料 功率半导体装置 芯片 栅极信号 感测 施加 正常操作模式 半导体装置 故障模式 控制功率 主动短路 加热 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制功率半导体装置（10）的方法，所述功率半导体装置（10）具有提供Si开关（14）的Si芯片（12）并且具有提供宽带隙材料开关（18）的宽带隙材料芯片（16），其中所述Si开关（14）和所述宽带隙材料开关（18）被并联电连接，所述方法包括：在正常操作模式期间，通过将对应栅极信号施加到至少所述宽带隙材料开关（18）来控制至少所述宽带隙材料开关（18），以用于切换经过所述功率半导体装置（10）的电流；感测所述功率半导体装置（10）中的故障；在所感测故障的情况下，通过将栅极信号施加到所述Si芯片（12）来控制所述Si开关（14），使得在所述Si芯片（12）中生成电流，所述电流将所述Si芯片（12）加热到形成经过所述Si芯片（12）的永久导通通路的温度，其中施加到所述Si开关（14）的所述栅极信号具有比在所述正常操作模式中低的电压，使得所述Si芯片（12）的内部电阻比在所述正常操作模式中高。
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