[发明专利]低电压保护装置有效
| 申请号： | 201880008081.6 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110214359B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | K·阿斯坎 | 申请（专利权）人： | 伊顿智能动力有限公司 |
| 主分类号： | H01H9/54 | 分类号： | H01H9/54 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有至少一个外部导体路径(2)和一个中性导体路径(5)的低电压保护装置(1)中，其中机械旁路开关(8)布置于所述外部导体路径(2)中，其中第一半导体电路布置(11)与所述旁路开关(8)并联连接，其中所述第一半导体电路布置(11)具有带有控制端子的至少一个功率半导体(21)，其中电流测量布置(12)布置于所述外部导体路径(2)中，连接到所述保护电路装置(1)的电子控制单元(13)，其中所述电子控制单元(13)被设计成在所述电流测量布置(12)检测到可指定的过电流后激活所述旁路开关(8)和所述第一半导体电路布置(11)，提议所述低电压保护装置(1)具有至少一个电压测量布置(80)，用于检测所述第一半导体电路布置(11)的所述至少一个功率半导体(21)处的密勒效应引起的电压峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种低电压保护装置(1)，其具有从所述低电压保护装置(1)的外部导体电力端子(3)到所述低电压保护装置(1)的外部导体负载端子(4)的至少一个外部导体路径(2)，以及从所述低电压保护装置(1)的中性导体端子(6)到所述低电压保护装置(1)的中性导体负载端子(7)的中性导体路径(5)，其中机械旁路开关(8)布置于所述外部导体路径(2)中，其中所述低电压保护装置(1)的半导体电路布置(11)并联连接到所述旁路开关(8)，其中所述第一半导体电路布置(11)具有至少一个功率半导体(21)，确切地说IGBT，所述至少一个功率半导体具有控制端子，确切地说栅极端子，其中电流测量布置(12)布置于外部导体路径(2)中，连接到所述保护装置(1)的电子控制单元(13)，其中所述电子控制单元(13)被设计成在所述电流测量布置(12)检测到预先可指定的过电流，确切地说短路电流的情况下，激活所述旁路开关(8)和所述第一半导体电路布置(11)，所述低电压保护装置的特征在于，所述低电压保护装置(1)具有至少一个电压测量布置(80)，用于检测所述第一半导体电路布置(11)的所述至少一个功率半导体(21)处的密勒效应引起的电压尖峰。
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