[发明专利]低电压保护装置

权利要求书

1.一种低电压保护装置(1)，其具有从所述低电压保护装置(1)的外部导体电力端子(3)到所述低电压保护装置(1)的外部导体负载端子(4)的至少一个外部导体路径(2)，以及从所述低电压保护装置(1)的中性导体端子(6)到所述低电压保护装置(1)的中性导体负载端子(7)的中性导体路径(5)，其中机械旁路开关(8)布置于所述外部导体路径(2)中，其中所述低电压保护装置(1)的第一半导体电路布置(11)并联连接到所述旁路开关(8)，其中所述第一半导体电路布置(11)具有至少一个功率半导体(21)，所述至少一个功率半导体具有控制端子，其中电流测量布置(12)布置于外部导体路径(2)中，连接到所述低电压保护装置(1)的电子控制单元(13)，其中所述电子控制单元(13)被设计成在所述电流测量布置(12)检测到预先可指定的过电流，激活所述旁路开关(8)和所述第一半导体电路布置(11)，所述低电压保护装置的特征在于，所述低电压保护装置(1)具有至少一个电压测量布置(80)，用于检测所述第一半导体电路布置(11)的所述至少一个功率半导体(21)处的密勒效应引起的电压尖峰；

其中，所述电压测量布置(80)连接到所述电子控制单元(13)；

其中，所述电子控制单元(13)和/或所述电压测量布置(80)被设计成检测在输出旁路开关断开信号之后发生的可指定的电压峰值；以及

其中，所述电子控制单元(13)具有以所述电压峰值的检测启动的计时器，且所述电子控制单元(13)被设计成在所述计时器到期之后将开关关断信号输出到所述第一半导体电路布置(11)。

2.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，第一旁路二极管(82)连接于所述功率半导体(21)的所述控制端子(81)和供应电压端子(85)之间。

3.根据权利要求2所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，所述电压测量布置(80)布置于与所述第一旁路二极管(82)并联的电路中。

4.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，两个反串联布置的齐纳二极管(86)连接于所述功率半导体(21)的所述控制端子(81)和所述功率半导体(21)的接地端子(83)之间。

5.根据权利要求4所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，所述电压测量布置(80)布置于与所述两个齐纳二极管(86)并联的电路中。

6.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，阻尼器(24)并联连接到所述至少一个功率半导体(21)。

7.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，所述功率半导体(21)是IGBT。

8.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，所述控制端子是栅极端子。

9.根据权利要求1所述的低电压保护装置(1)，其特征在于，所述预先可指定的过电流是短路电流。