[发明专利]具有无金接触部的氮化物结构及形成这种结构的方法有效
| 申请号： | 201880007541.3 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110226231B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | J·R·拉罗什;E·M·詹贝斯;K·P·叶;T·E·卡齐奥 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/45;H01L29/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有设置于衬底上的III族‑N半导体层的半导体结构。与III族‑N半导体层接触的多层电接触结构包括与III族‑N半导体层接触的无金接触层；和电连接到无金接触层的无金导电蚀刻停止层。导电过孔穿过衬底到达蚀刻停止层。所述结构包括多个电极结构，每个电极结构提供源电极结构、漏电极结构和栅电极结构中的相应一个。源电极结构、漏电极结构和栅电极结构包括：电接触结构和电极接触部。电极接触部具有相同的无金结构并具有共面的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 接触 氮化物 结构 形成 这种 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：III族‑N半导体层；源电极结构和漏电极结构，与所述III族‑N半导体层欧姆接触；栅电极结构，设置于所述源电极结构和所述漏电极结构之间，且与所述III族‑N半导体层接触；并且其中所述源电极结构、所述漏电极结构和所述栅电极结构包括：电接触结构和位于所述电接触结构上的电极接触部，每个电极接触部是相同材料的。
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