[发明专利]非易失性闪存存储器单元

摘要

本公开提供了一种用于在基板上制造闪存存储器设备的方法，该方法可包括：制备具有用于限定有源部分的浅沟槽隔离的基板；在所制备的基板上沉积浮栅氧化物层；在浮栅氧化物层上沉积浮栅多晶硅层；对浮栅多晶硅层进行抛光以隔离基板的有源部分上方的多个浮栅；在多个浮栅顶部上沉积氮化硅层；图案化并蚀刻氮化硅层以形成氮化硅特征部；沿氮化硅特征部的侧面沉积一组氧化物间隔物；在各个浮栅下方将源极结植入基板中；在除了各个氧化物间隔物下方之外的地方移除浮栅多晶硅层，然后移除一组氧化物间隔物；在剩余的浮栅顶部上沉积内多晶硅层；在内多晶硅层顶部上沉积第二多晶硅层；以及图案化并蚀刻第二多晶硅层以将第二多晶硅层分离成字线设备和擦除栅。

主权项

1.一种用于在基板上制造闪存存储器设备的方法，所述方法包括：制备具有用于限定和分离有源部分的浅沟槽隔离的基板；在所制备的基板上沉积浮栅氧化物层；在所述浮栅氧化物层上沉积浮栅多晶硅层；对所述浮栅多晶硅层进行抛光以隔离所述基板的所述有源部分上方的多个浮栅；在所述多个浮栅顶部上沉积氮化硅层；图案化并蚀刻所述氮化硅层以形成氮化硅特征部；沿所述氮化硅特征部的侧面沉积一组氧化物间隔物；在所述各个浮栅下方将源极结植入所述基板中；在除了各个氧化物间隔物下方之外的地方移除所述浮栅多晶硅层，然后移除所述一组氧化物间隔物；在剩余的浮栅顶部上沉积内多晶硅层；在所述内多晶硅层顶部上沉积第二多晶硅层；以及图案化并蚀刻所述第二多晶硅层以将所述第二多晶硅层分离成字线设备和擦除栅。